慢性脑深部电刺激内侧隔区改善衰老模型大鼠记忆功能及其机制

研究人员在 D - 半乳糖（D-gal）诱导的衰老大鼠模型中研究 MS-DBS，发现其可改善记忆，机制是增强海马神经发生。

　　衰老的主要特征之一是大脑老化，这表现为认知功能受损。实验数据表明，脑深部电刺激（DBS）在刺激特定脑区时可以改善记忆功能。在本研究中，研究人员检验了这样一个假设：内侧隔区（MS）的 DBS 通过调节 D - 半乳糖（D-gal）诱导的衰老大鼠模型中的海马神经发生来增强记忆功能。大鼠被随机分为四个实验组：（1）对照组；（2）给予 D-gal 组；（3）给予 D-gal 并植入电极组；（4）给予 D-gal、植入电极并刺激组。研究结果显示，MS-DBS 显著增强了 D-gal 诱导的衰老动物模型的记忆功能，D-gal 会损害 Morris 水迷宫中的长期空间记忆，以及开阔场地中的空间和物体新异性识别记忆。免疫组化研究表明，在给予 D-gal 或 D-gal 联合植入电极的大鼠齿状回（DG）中，神经元核抗原（NeuN）或双皮质素（Doublecortin，细胞有丝分裂后期的生物标志物）免疫阳性细胞数量减少；而 MS 刺激使 DG 中的这些细胞数量增加到与对照组相当的水平。因此，MS-DBS 恢复了海马神经发生水平。目前的数据首次证明，对 MS 进行慢性 DBS 可恢复 D-gal 诱导的衰老动物模型的记忆功能，其重要潜在机制之一是通过增强海马神经发生来介导的。