免疫兼容半导体聚合物用于生物电子学的设计：抑制异物反应，开拓植入式电子新未来

为解决植入式电子设备长期功能实现及炎症反应最小化的难题，研究人员开展了半导体聚合物免疫兼容性的研究。结果显示，合成聚合物可使异物反应（FBR）抑制达 68%，且保持 1 cm2 V?1 s?1的高载流子迁移率，为植入式应用提供新策略。

　　实现具有长期功能且炎症反应最小化的植入式电子设备，最大的障碍之一是免疫介导的异物反应（FBR）。最近，具有混合电子 - 离子导电性的半导体聚合物被证明是实现生物组织直接电连接的有前景的候选材料。然而，人们对其在体内的免疫兼容性了解有限，通过分子设计最小化 FBR 的策略也有待探索。在此，研究人员介绍了一系列增强半导体聚合物免疫兼容性的分子设计策略。具体而言，研究发现，将硒吩（selenophene）并入聚合物主链，可通过抑制巨噬细胞激活来减轻 FBR。此外，用免疫调节基团进行侧链功能化，能通过下调炎症生物标志物的表达进一步降低 FBR。综合来看，合成的聚合物可使 FBR 抑制高达 68%（以胶原密度为指标）。与此同时，这些免疫兼容的设计仍能提供约 1 cm² V^?1 s^?1的高电荷载流子迁移率。研究人员预计，这种免疫兼容的设计原则可应用于多种共轭聚合物，以抑制植入式应用中的 FBR。