脆性半导体材料的温热金属加工塑性制造技术及其电子器件应用

为解决脆性半导体难以采用高效金属加工工艺的问题，来自未知机构的研究人员开展了温热金属加工（warm metalworking）技术研究。该团队发现Cu2Se等材料在400-500K温度下可实现~3000%延伸率，制备出载流子迁移率达5000 cm2 V?1 s?1的薄膜，其热电器件功率密度达54 μW cm?2 K?2，为半导体加工提供了新范式。

　　

脆性半导体作为现代电子学的核心，传统依赖溅射(sputtering)或沉积(deposition)等复杂工艺。最新研究发现，通过温热金属加工（温度低于500K）可使Cu₂Se、Ag₂Se等材料展现惊人塑性，延伸率高达3000%！这种"热激活原子集体位移"机制，让半导体像橡皮泥般被轧制(rolling)、挤压(extrusion)，制成微米级高质量薄膜。更妙的是，加工后的薄膜保持着体材料的优异特性：载流子迁移率维持5000 cm² V^?1 s^?1高位，电导率可通过成分配比实现10⁶量级调控。在热电薄膜器件中，这项技术创造出43-54 μW cm^?2 K^?2的标准化输出功率密度，为柔性电子器件制造开辟了新途径。