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本文是关于 TiO2体系中过渡金属(TM)掺杂剂的 EMR 研究综述。探讨了 TM 离子掺杂对 TiO2结构、光谱和磁性的影响,综合实验与建模方法剖析相关物理性质,助力定制材料性能,推动 TiO2基半导体研究。
引言
在氧化物半导体大家族中,具有宽禁带的半导体备受关注,它们有着诸如化学、结构、光谱和磁性等吸引人的物理特性。二氧化钛(TiO2)体系就属于这一类,科研人员通过多种表征技术对其进行实验研究,还运用包括密度泛函理论(DFT)/ 从头算和半经验方法等建模手段进行计算研究。这些研究让 TiO2体系在催化、光电子学、自旋电子学以及超材料等众多技术领域得到广泛应用 。
TiO2有金红石、锐钛矿和板钛矿三种不同的纯结晶相。其中金红石相最稳定且研究广泛,锐钛矿相在光催化应用中因活性优越而备受青睐,而板钛矿相则属于亚稳相。此外,TiO2样品还可能存在混合相,不同晶相的协同作用赋予其独特性质。
研究人员对金红石相和锐钛矿相中的顺磁中心进行了诸多研究,包括氧空位(VOs)等缺陷,以及 Fe3+、Cu2+等过渡金属(TM)离子杂质。TM 离子的存在会在其附近产生局域态,进而改变 TiO2的关键物理性质,满足特定技术应用需求。过去几十年,XRD、SEM 等多种实验技术被用于研究 TM 离子掺杂的 TiO2体系的各种性质。同时,计算研究也借助多种建模方法展开,如 DFT / 从头算方法以及微观自旋哈密顿量(MSH)和叠加模型(SPM)等半经验建模方法。
在光谱技术中,电子磁共振(EMR,即 EPR/ESR)光谱以及 ENDOR 等专业技术,是研究晶体中取代 TM 离子微观结构和环境的有力工具。EMR 光谱能确定给定 MLn配合物中中心金属(M)离子的位点对称类型,还可探究掺杂浓度、退火温度等因素对 TiO2物理性质的影响。其核心概念是有效自旋哈密顿量(SH),包含塞曼电子项(HZe)和零场分裂(ZFS,即精细结构)项(HZFS) 。实验和计算研究表明,Fe3+掺杂 TiO2的 SH 参数(SHPs),尤其是零场分裂参数(ZFSPs),受晶体结构、掺杂浓度和退火条件等多种因素影响。
此外,具有高居里温度的稀磁半导体(如 TiO2、ZnO 等体系)的发现引发了大量研究。众多实验记录了这些氧化物在室温(RT)下的铁磁性现象,但如何区分检测到的铁磁性是源于本征还是非本征,仍是关键问题。不同制备技术得到的 Co 掺杂 TiO2薄膜,磁性表现不同,有的呈现铁磁性,有的则是顺磁性。
为确定 Fe3+掺杂金红石 TiO2的关键物理性质,科研人员对 Fe:TiO2单晶进行 EMR 研究,测定了 Fe3+中心的常规 ZFSPs,揭示了 Fe 离子周围环境信息。同时,磁性和 EMR 测量发现孤立 Fe 离子的磁化存在弱各向异性,易磁化轴沿 c 轴。众多研究还对金红石 TiO2中的缺陷和杂质进行了探讨,发现氧空位在其铁磁性中起着重要作用。
本文将全面探讨和分类研究掺杂在金红石和锐钛矿 TiO2(包括还原的 TiO2-δ薄膜)中的顺磁离子的光谱和磁性,分析各种外部因素和环境条件对这些性质的影响,重点关注 TM 离子掺杂 TiO2体系的 EMR 研究,旨在为该领域研究提供参考。
金红石和锐钛矿 TiO2的晶体结构
室温下实验测定和计算得到的金红石和锐钛矿 TiO2的晶格常数(a = b,c)被整理在表格中。金红石相 TiO2在室温下具有四方对称的晶体结构,空间群为 D144h - P42/mnm(JCPDS 编号 88 - 1175) 。其晶胞包含六个原子,由一对沿 c 轴共享一条边且略微扭曲的 TiO6八面体构成。
自旋哈密顿量理论
为清晰阐述,这里回顾 SH 理论基础以及与 TiO2体系 EMR 研究相关的 ZFS 哈密顿量形式。当自旋为 S 的 TM 离子掺杂到晶体中时,其基态往往轨道非简并。这种(2S + 1)自旋多重态可用有效自旋哈密顿量(SH)描述,包含塞曼电子项(HZe)和 ZFS 项(HZFS) 。这里采用适用于最低三斜对称位点的通用 SH 形式。
EMR 研究 TM 3dN离子掺杂的 TiO2
该部分主要综述 EMR 对掺杂 TiO2体系中 3dN离子的研究,重点关注晶体结构对 3dN离子光谱和磁性的影响。总结研究中的关键发现,强调掺杂水平、结构畸变等因素的作用。部分 3dN离子因特定原因未在本文详细探讨。
利用互补技术表征掺杂和未掺杂 TiO2体系的研究
这部分综述其他与 EMR 相关的研究,聚焦于掺杂和未掺杂 TiO2体系的结构、电子和磁性。总结研究成果,突出不同掺杂剂、缺陷态、TiO2相态等因素的影响。值得注意的是,在 γ 射线辐照的金红石 TiO2单晶中观察到室温铁磁性。
研究 3dN离子掺杂 TiO2所采用的建模方法
为补充前面章节对 TM 离子掺杂 TiO2体系的实验和计算研究,这里简要概述用于研究 SHPs(或 CFPs)的三种主要建模方法。理论预测结果可验证或反驳实验发现,有助于评估实验测量参数的可靠性。实验与计算相结合的研究能提供有价值的信息。
总结、结论与展望
本文系统综述了 TiO2中过渡金属(TM)掺杂剂的 EMR 研究,深入探讨了这些掺杂剂如何影响 TiO2这一重要半导体的性质。涵盖了 TiO2晶体结构基础、样品制备方法以及 EMR 研究中的实验技术。通过分析 TiO2体系中多种 3dN TM 离子的 EMR 相关数据,明确了晶体结构、材料成分(尤其是掺杂剂和缺陷)与关键物理性质之间的复杂关系。这不仅为设计具有特定性能的创新材料提供指导,还为 TiO2基半导体的进一步研究奠定基础,有望推动氧化物基自旋电子学领域的发展。