Chiari畸形I型(CM-I)硬脑膜修补术后颅内感染风险因素的系统性评估与临床启示

本刊推荐：针对Chiari畸形I型(CM-I)患者硬脑膜修补术后颅内感染风险，Balawi和Liao团队通过回顾性研究(n=168)首次系统评估围手术期危险因素，发现小脑扁桃体电灼术(OR=31.29)、糖尿病(OR=32.68)和贫血(OR=17.09)为关键风险因子。该研究为CM-I手术感染防控提供重要依据，但需注意其单中心回顾性设计的局限性，建议未来通过前瞻性研究验证结果。

　　

Chiari畸形I型(Chiari malformation type I, CM-I)是一种常见的颅颈交界区畸形，其特征为小脑扁桃体向下疝入颈椎管，常需通过后颅窝减压术联合硬脑膜修补术治疗。尽管手术技术不断进步，术后并发症如颅内感染仍严重影响患者预后。目前，关于CM-I术后感染的系统性风险评估仍属空白，临床决策缺乏循证依据。埃及神经外科杂志近期发表的回顾性研究首次聚焦这一领域，为优化手术策略提供了关键数据支撑。

由Balawi和Liao开展的研究纳入168例接受硬脑膜修补术的CM-I患者，采用多变量逻辑回归分析识别独立风险因素。研究团队通过电子病历回顾收集围手术期参数，重点评估手术技术（如小脑扁桃体电灼术）与基础疾病对感染率的影响。

研究结果显示，小脑扁桃体电灼术(cerebellar tonsil cauterization)与术后感染风险显著相关(OR=31.29)，其机制可能与组织坏死导致的屏障破坏有关。值得注意的是，糖尿病(OR=32.68)和贫血(OR=17.09)等共病状态展现出更高风险系数，提示代谢和免疫因素在感染发生中的关键作用。尽管总体感染率为16.67%，但缺乏与其他后颅窝手术的横向比较数据。

在讨论部分，作者指出当前研究存在样本量有限(n=168)、单中心回顾性设计等局限性，可能影响结果的普适性。针对小脑扁桃体电灼术的争议，文献建议替代技术如扁桃体悬吊术(tonsil suspension)或可控电凝可能降低并发症风险。未来研究需整合颅颈交界区解剖指标（如小脑扁桃体下疝程度）和生物标志物，以建立更精准的风险预测模型。

该研究的临床意义在于首次量化了CM-I术后感染的危险因素，为术前评估和个体化干预提供了框架。但需警惕统计显著性不等于临床必要性，特别是对于电灼术等争议性操作。后续应通过前瞻性多中心研究验证发现，并探索感染预防的创新策略，如靶向免疫调节或改良移植物材料。这项研究为CM-I手术质量改进奠定了重要基础，但其结论需结合临床实际谨慎应用。