双金属催化剂调控高电流密度CO电还原选择性的机制研究

【字体: 时间:2025年06月10日 来源:Applied Catalysis B: Environment and Energy 20.3

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  为解决CO电还原反应(CORR)中C2+ 产物与CH4 选择性难以协同提升的难题,研究人员通过引入Ce/Sn构建Cu基双金属催化剂(Cu-sg-Ce/Cu-sg-Sn),系统调控*CO吸附强度与氢化能力。结果表明:Cu-sg-Ce在–780.3 mA cm–2 高电流密度下实现87.6%的C2+ 法拉第效率(FEC2+ ),而Cu-sg-Sn则倾向生成CH4 (FECH4 =48.3%)。该研究为高活性CORR催化剂设计提供了新思路。

  

研究背景与意义
在碳中和背景下,CO电化学还原(CORR)因其温和反应条件和可持续特性,成为替代传统高温高压工艺的绿色路径。然而,该技术面临关键瓶颈:高电流密度下,C2+
多碳产物与CH4
的选择性调控存在矛盾——前者依赖CO中间体的高效C–C耦合,后者需快速氢化步骤。现有研究多聚焦单一因素影响,缺乏对CO吸附强度、氢化动力学与C–C耦合协同作用的系统认知,严重制约高活性催化剂的理性设计。

研究方法与技术路线
研究人员采用溶胶-凝胶法制备Cu-sg-Ce/Cu-sg-Sn双金属催化剂,通过X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)表征材料结构,结合电化学测试评估性能。利用原位光谱技术追踪*CO吸附行为,通过密度泛函理论(DFT)计算揭示Ce/Sn掺杂对Cu电子结构的调控机制。

研究结果

  1. 催化剂表征
    XRD显示Cu-sg-Ce中形成Cu/CeO2
    /Cu2
    O多相界面,而Cu-sg-Sn中Sn掺杂导致Cu晶格膨胀(2.5% Cu-Cu间距增加)。XPS证实Cu-sg-Ce富含Cu+
    位点,Sn引入则产生电子富集Cu0

  2. 性能差异机制
    Cu-sg-Ce的CeO2
    界面增强CO吸附密度(1.8倍于纯Cu),促进C–C耦合;而Cu-sg-Sn的长Cu-Cu间距削弱耦合能力,使CO持续氢化为CH4
    。动力学分析表明,Cu-sg-Ce的*CO氢化与耦合能垒差值缩小至0.12 eV,实现高FEC2+

  3. 工业级电流密度表现
    在–1.2 V vs. RHE时,Cu-sg-Ce的jC2+
    达–780.3 mA cm–2
    ,且保持>85% FEC2+
    超过50小时,显著优于文献报道值。

结论与展望
该研究通过Ce/Sn差异化调控Cu电子结构,首次阐明高电流密度下CO吸附-氢化-耦合的协同作用规律:CeO2
提升
CO覆盖度并优化耦合动力学,而Sn掺杂通过几何效应抑制耦合。这项工作为CORR催化剂设计提供了"金属选择-界面工程-性能预测"的全链条策略,发表于《Applied Catalysis B: Environment and Energy》的成果对实现电催化CO转化工业化具有里程碑意义。

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