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原位水热合成Bi2 S3 纳米带构建高效Cr(VI)光催化还原体系:Bi2 S3 /BiVO4 /TiO2 复合膜的形态调控与性能优化
【字体: 大 中 小 】 时间:2025年06月13日 来源:Materials Science in Semiconductor Processing 4.2
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针对工业废水重金属污染治理难题,河南科研团队创新性地通过原位水热法构建Bi2 S3 /BiVO4 /TiO2 三元异质结薄膜。通过调控硫源浓度实现Bi2 S3 形貌从纳米针到纳米带的精准调控,最优样品SVT-5展现出96.1%的Cr(VI)还原效率及0.0336 min?1 的反应速率,为TiO2 基光催化剂在环境修复中的应用提供新策略。
随着工业化进程加速,重金属水污染已成为全球性环境挑战。其中,具有强毒性和致癌性的六价铬(Cr(VI))是电镀、制革等行业废水的主要污染物。传统处理方法如吸附、化学沉淀等存在二次污染风险,而光催化技术因其绿色可持续特性备受关注。然而,主流光催化剂TiO2
存在可见光响应差(仅利用5%紫外光)、载流子复合率高等瓶颈。尽管新型材料如MXenes表现优异,但其稳定性差、成本高的缺陷制约了实际应用。如何通过材料改性突破TiO2
的性能限制,成为环境催化领域的关键科学问题。
河南科研团队在《Materials Science in Semiconductor Processing》发表的研究中,创新性地将窄带隙半导体Bi2
S3>(2.76 eV)与BiVO4
耦合至TiO2
基底,通过原位水热法构建了三元异质结薄膜。研究采用硫源浓度梯度调控策略,结合X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)等表征手段,系统考察了材料形貌演化规律与光电性能的构效关系。
关键实验技术
研究结果
Materials and structure
XRD证实成功构建含锐钛矿TiO2
(PDF#21-1276)、单斜BiVO4
(PDF#14-0688)和斜方Bi2
S3
(PDF>17-0320)的三相复合体系。SEM显示硫源浓度显著影响Bi2
S3
形貌:1 mmol时形成纳米针,3-5 mmol转为均匀纳米带(宽度80-120 nm),7 mmol出现纳米片,10 mmol时发生团聚。
Morphology and structure
TEM观察到Bi2
S3
纳米带与BiVO4
颗粒在TiO2
表面形成紧密界面接触,选区电子衍射(SAED)显示清晰的晶体衍射斑点,证实材料的高结晶性。XPS分析表明Bi2
S3
的引入使复合膜中Ti4+
/Ti3+
氧化还原对含量提升1.8倍,有利于电子传递。
Photocatalytic performance
在模拟太阳光下,SVT-5样品表现出最优性能:紫外-可见漫反射光谱(UV-Vis DRS)显示吸收边红移至650 nm,带隙窄化至2.76 eV;瞬态光电流密度达8.7 μA/cm2
,是纯TiO2
的6.2倍;电化学阻抗降低72%,载流子寿命延长至15.2 ms。对Cr(VI)的还原效率达96.1%(100 min),速率常数0.0336 min?1
,较BiVO4
/TiO2
提升2.1倍。
结论与意义
该研究通过硫源浓度梯度调控,实现了Bi2
S3
从纳米针→纳米带→纳米片的形貌演变,发现5 mmol硫源制备的纳米带结构(SVT-5)具有最佳光催化性能。其优势源于三方面:(1)纳米带结构提供高比表面积(89.6 m2
/g)和丰富活性位点;(2)三元异质结形成阶梯型能带结构,促进电子从Bi2
S3
→BiVO4
→TiO2
定向转移;(3)Ti3+
/氧空位缺陷协同抑制载流子复合。研究不仅为TiO2
基光催化剂的性能优化提供形态调控新思路,其薄膜化设计更解决了粉末催化剂回收难题,对重金属废水处理技术的实际应用具有重要推进作用。
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