多维Sb2 S3 @MoS2 异质结的电磁波吸收性能研究：界面工程与协同损耗机制的突破

为解决电磁污染问题，研究人员通过水热法构建了1D Sb2 S3 纳米棒与2D MoS2 纳米片的多维异质结（Sb2 S3 @MoS2 ）。该材料在5:5摩尔比下实现最小反射损耗（RLmin ）?48.09 dB（2.60 mm）和最大有效吸收带宽（EAB）4.00 GHz（11.52–15.52 GHz），其优异性能源于界面极化、多重散射及阻抗匹配的协同作用，为低维吸波材料的开发提供了新思路。

　　

随着现代电子设备的普及，电磁污染已成为威胁人类健康的隐形杀手。传统吸波材料如MOF（金属有机框架）和MXene（二维过渡金属碳化物）虽性能优异，却因高昂成本和复杂工艺难以大规模应用。低维材料如Sb₂
S₃
（锑硫化物）和MoS₂
（二硫化钼）凭借独特的结构和可调控的介电特性成为研究热点，但其稳定性差、导电率低等问题制约了实际应用。为此，江苏某高校的研究团队通过巧妙的界面工程设计，将1D棒状Sb₂
S₃
与2D片状MoS₂
复合，成功制备出多维Sb₂
S₃
@MoS₂
异质结，相关成果发表于《Materials Today Nano》。

研究团队采用分步水热法：首先合成Sb₂
S₃
纳米棒，再通过二次水热反应在其表面生长MoS₂
纳米片，形成核壳结构。通过调节Sb₂
S₃
与MoS₂
的摩尔比（6:4、5:5、4:6），系统优化了材料的电磁参数。

结果与讨论

1. 材料合成与表征：XRD和SEM证实了异质结的成功构建，MoS₂
   纳米片均匀包覆在Sb₂
   S₃
   表面，形成丰富的异质界面。
2. 电磁性能分析：5:5比例的样品（S2）表现出最优阻抗匹配，其RL_min
   达?48.09 dB（10.08 GHz，2.60 mm），EAB覆盖Ku波段（11.52–15.52 GHz）。
3. 机理研究：界面极化（Interfacial Polarization）和多重散射是性能提升的关键，MoS₂
   的引入显著提高了导电损耗（Conductive Loss）。

结论与意义
该研究通过多维异质结设计，实现了低维材料稳定性与吸波性能的协同提升，为开发高效、低成本吸波材料提供了新范式。未来可通过组分调控进一步拓展其在5G通信和军事隐身等领域的应用。