综述:熵驱动电磁干扰屏蔽:高熵材料的作用机制、潜力与未来展望

【字体: 时间:2025年06月17日 来源:Materials Science in Semiconductor Processing 4.2

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  这篇综述系统阐述了高熵材料(HEMs)在电磁干扰(EMI)屏蔽领域的突破性进展,重点解析了其熵稳定效应、多元素协同机制(如高熵合金HEAs/陶瓷HECs)及通过机器学习(ML)加速优化的潜力。文章对比传统金属/导电聚合物的局限性(如腐蚀、窄带宽),强调HEMs通过晶格畸变、缺陷调控和相工程实现宽频(5G/6G)、轻量化及环境稳定性,为航空航天、物联网(IoT)和健康医疗提供下一代EMI解决方案。

  

结构化学特性与EMI屏蔽机制
高熵材料(HEMs)以五种以上近等摩尔比元素构成单相固溶体(如FCC、BCC结构),其高构型熵和晶格畸变特性显著增强电磁波衰减。通过Schelkunoff理论可知,总屏蔽效能(SET
)由吸收损耗(SEA
)、反射损耗(SER
)及多重反射(SEM
)共同决定。HEMs的独特电子结构通过界面散射和介电/磁损耗协同作用,突破传统材料如铝箔(仅依赖反射)的局限性。

合成与性能调控
化学气相沉积(CVD)和机械合金化是制备HEMs的主流方法,通过调控相组成与缺陷密度(如空位浓度)可优化电导率(σ)与磁导率(μ)。例如,高熵合金(HEAs)中FeCoNiCrAl系通过3d
电子轨道杂化实现宽频吸收(18-40 GHz),而高熵陶瓷(HECs)如(Hf0.2
Zr0.2
Ti0.2
)C的碳化物相则展现优异热稳定性(>1200°C)。

机器学习驱动的材料设计
人工智能(AI)通过高通量筛选组分-性能关系,预测如Co20
Fe20
Ni20
Cr20
的阻抗匹配阈值,将实验周期缩短70%。案例显示,神经网络模型优化后的HEA薄膜在X波段(8-12 GHz)SE值达85 dB,远超传统碳纳米管(~45 dB)。

挑战与未来方向
当前HEMs面临规模化生产一致性和成本问题。展望指出,仿生多层结构(如昆虫甲壳启发的梯度孔隙)与动态相变材料(如形状记忆HEAs)可能是突破轻量化(密度<3 g/cm3
)和智能响应屏蔽的关键。

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