综述：基于六方氮化硼的量子发射体及其在新一代量子技术中的应用

这篇综述系统阐述了六方氮化硼（h-BN）作为量子发射体（quantum emitters）的独特优势，重点分析了其宽禁带（～6eV）、室温稳定单光子发射及与光子电路集成的潜力。文章深入探讨了本征/非本征缺陷（intrinsic/extrinsic defects）的调控方法，并展望了其在量子通信、自旋电子学（spintronics）和片上量子系统中的应用前景。

　　

量子发射体在h-BN中的神奇表现

Abstract
六方氮化硼（h-BN）作为一种宽禁带（～6eV）层状范德华材料，因其独特的性质成为量子技术的新宠。研究发现，h-BN能在室温下产生稳定的量子发射，覆盖紫外到近红外的宽光谱范围，这使其成为下一代量子技术平台的理想候选。

Introduction
量子技术的核心是光学活性缺陷（或称色心），而h-BN的二维结构和无悬键表面为色心提供了理想环境。与金刚石、碳化硅（SiC）等材料相比，h-BN的色心展现出室温单光子发射、窄零声子线和高量子效率等优势。2016年首次在h-BN中观察到单光子发射后，研究迅速升温。h-BN的二维特性使其易于与光子电路集成，且无需低温操作。此外，通过应变或电场调控，其发射特性可进一步优化。

Quantum emission from defects in h BN
h-BN中的色心具有宽光谱发射能力，归因于其宽禁带和二维结构。这些色心不仅能在室温下稳定工作，还具有高光稳定性和量子效率，非常适合高速量子通信和计算。

Defect engineering
缺陷工程方法包括热退火、等离子体处理和离子辐照等。近年来，电子辐照等技术实现了色心的位点特异性制备，为精准调控提供了新手段。

Spintronics
h-BN中的自旋缺陷（spin defects）具有独特的自旋相关特性，可用于量子存储和传感。这些缺陷不仅支持单光子发射，还能通过自旋态操控实现更复杂的功能。

Conclusion and outlook
h-BN量子发射体的研究已取得显著进展，但仍面临相干时间短等挑战。未来，通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）等外延掺杂策略，有望实现大规模应用，推动量子技术的发展。

CRediT authorship contribution statement
本文由多位作者合作完成，涵盖了从概念设计到数据分析和撰写的全过程。

Declaration of competing interest
作者声明无利益冲突。

Acknowledgement
研究得到了韩国国家研究基金会（NRF）等机构的资助。