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综述:四元过渡金属二硫属化物(M1-x Nx X2(1-y) Y2y )在氢析出反应中的应用:原子结构、3D工程与电催化性能综述
【字体: 大 中 小 】 时间:2025年06月18日 来源:Progress in Solid State Chemistry 9.1
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这篇综述系统探讨了四元过渡金属二硫属化物(TMDs)在氢析出反应(HER)中的前沿进展,重点阐述了其原子结构设计(如M1-x Nx X2(1-y) Y2y 组分调控)、3D打印技术构建多级结构电极的优势,以及通过协同掺杂效应提升电催化活性的机制,为替代贵金属(如Pt)催化剂提供了可持续解决方案。
地球丰富的HER电催化剂
近年来,开发高效、廉价的非贵金属HER电催化剂成为研究热点。过渡金属基材料(如硫化物、硒化物、磷化物)因其可调谐的电子结构和催化性能备受关注。其中,四元TMDs(化学通式M1-x
Nx
X2(1-y)
Y2y
)通过多元金属(M/N)和硫属元素(X/Y)的协同作用,显著优化了氢吸附自由能(ΔGH*
),从而降低过电位。
四元TMDs的独特特性
这类材料的核心优势在于:1)组分可调性实现电子结构精准调控,例如Mo0.5
W0.5
S2
Se2
中Mo-W的d带中心位移可增强质子吸附;2)硫/硒空位作为活性位点提升本征活性;3)层间膨胀结构促进电解质渗透和电荷传输。理论计算表明,异质原子掺杂可诱导电荷再分布,降低HER能垒。
合成方法的挑战与突破
四元TMDs的合成需精确控制组分均一性,化学气相沉积(CVD)和胶体法是目前主流技术。例如,通过低温等离子体辅助CVD可制备超薄WSx
Se2-x
纳米片,其边缘位点密度较二元TMDs提升3倍。溶剂热法则适用于大规模制备核壳结构材料,但需注意避免相分离。
3D打印技术的革新应用
增材制造技术可构建具有分级孔道的三维电极,如石墨烯-TMDs复合支架。这种结构不仅提供高比表面积(>1200 m2
/g),还通过垂直排列的孔道加速气泡脱附,使电流密度在η10
=85 mV时达到152 mA/cm2
,接近商用Pt/C性能。
性能优化与机理解析
电化学测试显示,四元TMDs的Tafel斜率普遍低于80 mV/dec,表明Volmer-Heyrovsky机制占主导。原位X射线吸收光谱证实,W掺杂可稳定MoSe2
的1T相,提升导电性。值得注意的是,Ni-Co-S-Se体系在碱性条件下表现出超低过电位(η10
=62 mV),归因于S/Se双阴离子对水分子的协同活化作用。
挑战与前景
当前瓶颈包括长期稳定性不足(>500小时循环后活性衰减20%)和规模化生产成本较高。未来方向应聚焦于:1)开发原位表征技术解析活性位点动态演变;2)人工智能辅助组分设计;3)耦合光电催化体系提升能量转换效率。随着3D打印和原子层沉积技术的融合,定制化TMDs电极有望实现工业化应用。
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