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新型双层V2 O5 纳米片通过钒酰氧空位实现室温高选择性NO2 传感
【字体: 大 中 小 】 时间:2025年06月18日 来源:Talanta Open 4.2
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本研究针对气体传感器选择性差的难题,通过化学剥离法合成具有钒酰氧空位(OI )缺陷的新型双层V2 O5 纳米片,首次实现室温下对NO2 的高选择性检测(响应值0.4%,50 ppm)。XPS和拉曼光谱证实OI 空位增强表面活性,突破传统V2 O5 需100℃以上工作的限制,为环境监测提供新策略。
在环境监测和工业安全领域,氮氧化物(NOx
)尤其是二氧化氮(NO2
)的检测至关重要。这种强氧化性气体不仅是光化学烟雾的主要成分,长期暴露还会引发呼吸道炎症甚至癌症。然而现有传感器普遍面临两大瓶颈:一是多数金属氧化物如V2
O5
需在100℃以上工作,能耗高且难以便携化;二是材料对多种气体交叉响应导致选择性差。传统解决方案如异质结构建或贵金属掺杂虽能提升性能,却增加了制备复杂度。
针对这些挑战,研究人员创新性地采用化学剥离法制备出具有本征钒酰氧空位(OI
)的双层V2
O5
纳米片。通过原子力显微镜(AFM)确认材料厚度为1.0-1.5 nm,X射线光电子能谱(XPS)检测到17%的V4+
态证实氧缺陷存在。拉曼光谱中615 cm-1
的表面模式和1010 cm-1
处Fano型不对称展宽,均指向OI
空位导致的局域对称性破缺。光致发光谱则发现2.9-1.86 eV范围内的缺陷能级发射。
关键实验技术
研究采用化学剥离法(以甲酰胺为剥离剂)制备二维V2
O5
,通过AFM、像差校正STEM表征形貌,结合XPS、拉曼光谱和光致发光光谱分析缺陷结构。气体传感测试使用自制系统,在室温和50℃下检测NO2
、CH4
和H2
的响应。
研究结果
材料特性:AFM显示纳米片主要为双层结构(1.0-1.5 nm),STEM确认α-V2
O5
的VO5
四方锥体排列。XPS中V4+
/V5+
双峰和拉曼表面模式共同验证OI
空位的形成机制——层间范德华力断裂导致钒酰氧脱离。
缺陷调控机制:紫外可见吸收谱测得3.55 eV直接带隙,而光致发光谱中多个亚带隙发射峰证实缺陷态富集。理论分析指出OI
空位作为吸附位点可降低NO2
的活化能。
传感性能:室温下对50 ppm NO2
的响应达0.4%(传统V2
O5
纳米颗粒在室温无响应),50℃时升至2.3%。独特的是,室温呈现n型响应(电阻增加),50℃转为p型行为,源于德拜长度(LD
)随温度增大导致载流子完全耗尽。对CH4
和H2
的交叉响应可忽略,归因于NO2
孤对电子与OI
空位的特异性结合。
结论与意义
该研究首次揭示二维V2
O5
通过本征OI
空位实现室温NO2
检测的机制,突破传统传感材料的工作温度限制。其创新性体现在:(1)化学剥离法同步构建活性缺陷,避免后处理改性;(2)阐明温度依赖的n-p响应转换与德拜长度的关联;(3)为开发低功耗、高选择性气体传感器提供新思路。论文发表于《Talanta Open》,为环境监测和呼吸健康防护领域带来重要技术突破。
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