纳米层状TiN/Nb涂层中架构驱动的形变与断裂行为:界面设计提升断裂抗性的新策略

【字体: 时间:2025年06月23日 来源:Materials & Design 7.6

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  本研究针对陶瓷/金属多层膜中氮化物与高温金属组合探索不足的问题,通过密度泛函理论(DFT)筛选30种XN/M和XC/M体系,优选TiN/Nb体系进行实验验证。采用非反应溅射制备不同双层周期(Λ)和厚度比(Γ)的多层膜,通过FIB微柱压缩测试揭示其形变受CLS(受限层滑移)机制主导。结果表明,低Γ体系展现更高压缩应变失效能力,而高TiN含量(Γ=6)则呈现脆性断裂,为极端环境涂层设计提供了韧性优化新路径。

  

在高温、高应力环境下,涡轮叶片和切削工具等关键部件的性能极限不断被挑战。传统单相涂层难以兼顾硬度和韧性,而陶瓷/金属多层膜通过"软硬交替"的架构设计展现出独特优势。然而,氮化物与高熔点金属(如V、Nb、Ta等)的组合长期缺乏系统研究,尤其界面效应对断裂抗性的调控机制尚不明确。更棘手的是,在反应性沉积过程中,强氮化物形成元素易导致金属层氮化,破坏设计的界面特性。

为解决这些问题,来自奥地利的研究团队通过高通量密度泛函理论(DFT)计算,从30种过渡金属氮化物/碳化物(XN/XC)与高温金属(M)组合中,筛选出界面结合强、弹性对比显著的TiN/Nb体系。该团队采用非反应磁控溅射技术,精确控制TiN与Nb层的厚度比(Γ=1-6)和双层周期(Λ=50-450nm),成功制备出具有半共格界面的纳米层状结构。通过聚焦离子束(FIB)制备微柱并结合原位SEM压缩测试,首次系统揭示了TiN/Nb多层膜的"架构-性能"关系。

研究主要采用四大关键技术:1) 基于VASP软件的DFT计算预测界面稳定性和力学性能;2) 非反应磁控溅射结合旋转基板实现交替沉积;3) FIB三维加工制备不同直径(485-1250nm)的微柱阵列;4) 原位SEM纳米压痕仪进行压缩测试,配合TEM分析变形机制。

3.1 基于第一性原理筛选的材料选择
DFT计算显示TiN/Nb具有最低形成能(-1.966eV/at)和最高界面结合能(ΔEcl),其弹性模量差异(ΔE)达366GPa,有利于应力场重分布。相比TiN/V,TiN/Nb还具备更优的抗氧化性,因此被选为实验研究对象。

3.2 薄膜沉积与结构表征
XRD和TEM证实非反应沉积成功避免了Nb氮化,SAED衍射显示TiN(fcc)和Nb(bcc)分别保持各自晶体结构。在Γ=1的样品中,HR-TEM观察到清晰的(100)fcc∥(110)bcc取向关系,界面位错间距约5nm。

3.3 断裂应力与形貌特征
微柱压缩测试揭示显著尺寸效应:485nm直径支柱普遍展现更高塑性,而1250nm支柱更易脆性断裂。当Γ从1增至6时,压缩应变失效从>15%骤降至<5%,对应Rp0.2从4.2GPa提升至11.7GPa。SEM显示塑性变形主要集中于Nb层,TiN层则发生穿晶/沿晶混合断裂。

3.4 受限层滑移模型
通过CLS模型定量分析发现,当Nb层厚度?Nb从210nm减至7nm时,屈服强度与ln(R/r0)/r呈线性关系(R2=0.83),斜率32.4GPa·?对应{110}〈111〉滑移系主导变形。Γ=6且?Nb=7nm时,力学响应趋近单相TiN,表明Nb层塑性贡献消失。

3.5 TEM变形机制分析
Γ=1样品中,210nm厚Nb层通过位错滑移吸收裂纹能量,而55nm周期样品则出现Nb层剪切带与TiN层解理断裂的协同失效。FFT分析证实TiN沿(111)面断裂,但界面未发生分层,与DFT预测的高界面强度一致。

这项研究通过多尺度方法建立了TiN/Nb多层膜"成分-结构-性能"的定量关系,证明通过调控Λ和Γ可实现从韧性到强度的按需设计。特别值得注意的是,当?Nb>21nm时,CLS机制能有效阻止裂纹扩展,这为开发抗热震涂层提供了新思路。相比TiN/Cu等体系,TiN/Nb在保持400℃以上热稳定性方面更具优势,但其产业化仍需解决大尺寸沉积的应力控制问题。该成果发表于《Materials》期刊,为极端环境涂层设计建立了可推广的材料筛选-制备-评价方法论。

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