间歇性耳迷走神经刺激通过调控O-GlcNAc糖基化逆转急性应激记忆障碍的机制研究

针对急性应激导致的记忆功能障碍，研究人员通过对比间歇性与连续性经皮耳迷走神经刺激(taVNS)的作用，发现5 Hz间歇性taVNS能显著改善记忆缺陷，其机制与海马区O-GlcNAc糖基化修饰水平下调及STAT3通路调控相关，为应激相关认知障碍治疗提供了新靶点。

　　

记忆功能障碍是急性应激反应的常见后果，但现有干预手段存在侵入性强或疗效不稳定的局限。近年来，非侵入性的经皮耳迷走神经刺激(taVNS)在改善认知功能方面展现出潜力，而O-连接β-N-乙酰葡萄糖胺(O-GlcNAc)修饰作为应激反应与突触可塑性的关键调控因子，其与taVNS的协同机制尚不明确。这一科学问题由国内研究团队在《Experimental Neurology》发表的研究中进行了系统探索。

研究采用5 Hz间歇性taVNS、连续taVNS及假刺激对照，通过强迫游泳实验构建急性应激小鼠模型，结合Morris水迷宫评估记忆功能。关键技术包括：1) 不同频率taVNS参数优化；2) 海马组织O-GlcNAc水平检测；3) STAT3磷酸化及IL-6表达的Western blot分析；4) 生物信息学预测O-GlcNAc下游通路；5) 海马内O-GlcNAc阻断实验验证机制。

研究结果

1. 刺激模式筛选：间歇性taVNS（尤其5 Hz）显著改善应激小鼠的空间记忆，效果优于连续刺激。
2. 分子机制：5 Hz taVNS特异性降低海马O-GlcNAc水平，生物信息学提示STAT3通路异常激活；实验证实其下调磷酸化STAT3(p-STAT3)及促炎因子IL-6。
3. 功能验证：阻断海马O-GlcNAc后，taVNS的记忆保护作用消失，证实O-GlcNAc是核心介质。

结论与意义
该研究首次揭示间歇性taVNS通过"O-GlcNAc-STAT3-神经炎症"轴改善急性应激记忆障碍的机制，提出5 Hz为最优参数。其创新性在于：1) 阐明O-GlcNAc在taVNS中的枢纽作用；2) 为开发无创、靶向的认知干预方案提供理论依据；3) 拓展了糖基化修饰在应激相关疾病中的调控价值。未来研究可进一步探索人体适用性及O-GlcNAc调控的时空特异性。