新型邻三联苯(o-Th)荧光材料的合成与光电性能研究：基于蒽(AN)掺杂的长波长发射体设计

研究人员通过固相反应法合成了一系列蒽(AN)掺杂的邻三联苯(o-Th)荧光材料，系统研究了其光物理、电化学及热稳定性。光谱分析显示420/442/470 nm特征峰源于o-Th→AN的能量转移，HOMO/LUMO能级分别为5.87 eV/-4.67 eV。XRD和SEM证实材料结晶性与形貌可控，TGA显示良好热稳定性，为光电器件开发提供了新型蓝紫荧光候选材料。

　　

采用经典固相反应法，科研团队成功制备出蒽(AN)掺杂浓度可调的邻三联苯(o-terphenyl, o-Th)荧光体系。荧光光谱中420 nm、442 nm和470 nm的特征发射峰清晰可见，证实了基质(o-Th)向掺杂剂(AN)的高效能量转移现象。电化学测试揭示该材料最高占据分子轨道(HOMO)能级达5.87 eV，最低未占分子轨道(LUMO)能级为-4.67 eV，展现出理想的电荷传输特性。热重分析(Thermogravimetric Analysis, TGA)曲线显示材料在高温下保持稳定，X射线衍射(X-ray Diffraction, XRD)图谱则验证了晶体结构的均一性。扫描电镜(Scanning Electron Microscopy, SEM)图像直观呈现了材料的微观形貌特征。这类兼具长波长发射特性和优异热稳定性的蓝紫荧光材料，在有机发光二极管(OLED)等光电器件领域展现出广阔应用前景。