高效无损的硅片光刻胶去除技术：电弧等离子体射流(Arc-Plasma-Jet)辐照研究

为解决半导体晶圆光刻胶去除中的效率与损伤问题，研究人员开发了一种基于Ar-O2混合气体的新型针环电弧等离子体射流技术。通过系统优化氧混合比、放电距离等参数，在电子温度2.86 eV、晶圆表面温度344 K条件下实现83.8%的质量损失率和22.6 μm/min的清洁速率。该技术为半导体制造提供了高效无损的清洁方案。

　　

这项突破性研究展示了一种创新性的电弧等离子体射流(Arc-Plasma-Jet)技术，采用氩氧(Ar-O₂)混合气体，专为半导体晶圆上的光刻胶(photoresist)去除而设计。科研团队深入探究了氧混合比例、放电间距、输入电压及气体流速等关键参数对清洁效果的影响。

令人振奋的是，该等离子体射流能在维持晶圆表面温度仅344开尔文(344 K)的同时，产生高达2.86电子伏特(eV)的电子温度，完美平衡了高效清洁与表面保护的双重需求。在最优参数下，系统展现出惊人的83.8%质量损失率，相当于每分钟22.6微米(22.6 μm/min)的清洁速度，而功率密度仅为4.85瓦每平方毫米(4.85 W/mm2)。

这项技术犹如给半导体制造装上了"智能清洁器"，其非破坏性特质确保晶圆表面毫发无损，同时闪电般的清洁速度大幅提升生产效率。研究者特别指出，该等离子体射流技术有望重塑整个晶圆制造流程，为半导体行业带来革命性的工艺革新。文末的声明确认本研究不存在利益冲突(Conflicts of Interest)。