基于单层二硫化钼(MoS2)光控神经形态器件的高温认知计算技术研究

为应对太空探索及高温工业环境对神经形态器件的需求，研究人员开发出基于单层MoS2的可扩展高温器件。该器件在100°C下仍保持优异电学特性：低功耗、快切换速率(≈103次循环耐久性)及≈102电阻比，成功模拟生物突触可塑性，为物联网(IoT)时代的环境自适应电子系统奠定基础。

　　

在太空探测器和高温工业场景的严苛环境下，传统电子器件往往"中暑罢工"。科学家们从人脑神经网络获取灵感，利用"机械柔韧+高温稳定"双buff加成的单层二硫化钼(MoS₂)，打造出能耐受100℃"桑拿模式"的神经形态芯片。这种厚度仅原子级的二维半导体材料，通过光学调控可像乐高积木般自由组装，展现出媲美生物突触的"学习记忆"能力——仅需毫伏级工作电压就能完成闪电般的信号切换，持续工作1000次仍保持稳定性能。该器件如同给机器装上"高温不宕机"的仿生大脑，为智能工厂的"钢铁侠"装备和深空探测器的"自主思考"提供了关键技术支撑。