垂直量子点电化学晶体管与互补逆变器的创新研究

来自国内的研究人员针对电化学晶体管(ECTs)性能提升的挑战，创新性地设计了垂直堆叠结构的量子点电化学晶体管(vQECTs)。该研究通过纳米级通道缩短技术，实现了20.96 mS的高跨导和79.5 A cm-2的电流密度，并成功与有机ECTs构建互补逆变器，增益达4.7，为柔性电子器件发展提供了新范式。

　　

这项突破性研究展示了垂直堆叠量子点电化学晶体管(vQECTs)的卓越性能。研究人员巧妙地将n型砷化铟量子点(InAs QDs)薄膜作为活性通道，通过电化学掺杂机制实现电荷密度调控。这种垂直架构将通道长度压缩至纳米尺度，使器件跨导飙升至20.96(±2.16) mS，面积归一化电流密度达到惊人的79.5(±3.54) A cm^-2。更令人振奋的是，vQECTs展现出优异的操作稳定性，包括抗偏压应力、长期储存和循环开关耐久性。

研究团队进一步将n型vQECTs与p型垂直有机电化学晶体管(vOECTs)联姻，构建出垂直堆叠的互补逆变器。这个"量子点-有机"混合系统实现了≈4.7的信号增益，标志着新型柔性电子器件向实用化迈出关键一步。该成果不仅填补了n型高性能ECTs的空白，更为发展下一代生物兼容电子器件提供了全新材料体系和技术路线。