H1线圈经颅磁刺激(TMS)靶向抑郁神经环路：一项基于回顾性电路映射的研究

来自McLean Hospital的研究人员为探究H1线圈经颅磁刺激(TMS)治疗抑郁的神经机制，通过回顾性分析97例患者的E场(SimNIBS建模)与规范连接组(n=1000)数据，发现抑郁症状改善与特定脑环路连接显著相关(r=0.41,p<0.001)，该环路与既往TMS/深部脑刺激(DBS)定义的因果抑郁环路高度相似(r=0.59,p=0.04)，后置线圈位置可优化靶向效果。研究为H1线圈个体化定位提供电路级证据。

　　

这项研究揭示了H1线圈经颅磁刺激(TMS)对抗抑郁的神经环路机制。传统观点认为H1线圈刺激范围比八字线圈更广更深，但其作用靶点始终未明确。研究团队另辟蹊径，通过分析97名接受≥19次TMS治疗且拥有脑MRI数据的抑郁症患者，运用SimNIBS软件重建个体化电场(E-field)模型，并结合千人规范连接组(n=1000)进行环路映射分析。

令人振奋的是，显著改善抑郁症状的电场分布（通过快速抑郁症状量表QIDS评估）竟与一个独特的神经环路高度耦合，交叉验证显示该关联具有统计学意义(p=0.0005)。更妙的是，这个"H1线圈敏感环路"与既往TMS、深部脑刺激(DBS)和脑损伤研究定义的抑郁因果环路存在显著空间相似性(r=0.59,p=0.04)，仿佛不同干预手段最终都汇聚到同一条"抑郁高速公路"。

后续分析带来实操性发现：将线圈后移3-6厘米至运动热点前区，可显著提升电场与抑郁环路的耦合度。这些发现为H1线圈的精准定位提供了神经环路层面的理论支撑，不过仍需前瞻性研究进一步验证。