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综述:通过元素掺杂和加工工艺设计功能材料的工程化碳材料
【字体: 大 中 小 】 时间:2025年07月17日 来源:Small 12.1
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这篇综述深入探讨了碳材料通过异质原子(如卤素、半金属元素)掺杂及协同效应(如固态受阻路易斯酸碱对FLP)提升性能的策略,重点解析了掺杂构型(如C─F半离子键)、电子结构调控(如p型掺杂)及其在催化(ORR、CO2还原)、能源存储(锂电、HzFC)等领域的应用,同时强调了前驱体选择(如离子液体、MOFs)和碳化工艺(真空/惰性气氛)对材料功能化的关键作用。
碳材料因其低成本、高稳定性及可调电子结构成为多功能候选材料。异质原子掺杂(如氮)可显著增强其性能,但面临活性对标贵金属催化剂、机制解析及可控合成的挑战。本综述聚焦卤素(氟)和半金属等非常规掺杂元素,探讨其独特的构型(如C─F半离子键)、电子特性(如p型掺杂)及与碳基质的协同效应(如FLP化学),并强调碳化前驱体(生物质、MOFs)和工艺(温度、气氛)对材料设计的决定性影响。
自2009年氮掺杂碳纳米管展现类铂ORR活性以来,异质原子掺杂碳材料(如N、S、P)在催化、传感等领域广泛应用。然而,卤素和半金属掺杂的研究相对滞后,其高电负性(如F, 3.98)和独特键合模式(如半离子C─F键)可诱导碳原子局部正电荷,形成Lewis酸位点,抑制副反应(如HER),提升N2→NH3选择性(197.7 μgNH3 mg?1 h?1)。此外,FLP概念(如B/N共掺杂)通过电子“推-拉”效应优化中间体吸附能(*COOH吸附能?1.45 eV),为CO2还原等反应提供新机制。
氟掺杂碳的C─F键具有高极性(XPS峰290.2 eV),其半离子特性可增强锂电放电电位(3.2 V vs Li/Li+)和容量(450 mA h g?1)。表面氟化还构建超疏水界面,促进O2传质(ORR峰值电位?0.19 V)。与氮掺杂不同,卤素活性与电负性无直接关联,如Br/I因大原子尺寸更易极化电荷。氟化石墨烯(CF)n呈绝缘性(10?4 S m?1),而部分氟化保留导电性(104 S m?1),凸显构型对性能的调控。
B/N共掺杂碳通过FLP机制异裂解离H2(能垒0.21 eV),选择性氢化肉桂醛(C═O能垒0.65 eV)。理论计算显示,B位点裂解H─H键,N原子稳定质子,协同降低反应能垒。类似地,N/S共掺杂通过“推-拉”电子效应优化*COOH吸附,促进CO2→多碳产物转化。
硒单原子(Se-C4构型)在HzFC中媲美Pt/C(功率密度182.2 mW cm?2)。预吸附*OH使Se位点缺电子,增强HzOR活性。半金属(如Sb、Te)的d10电子构型可抑制电荷复合,适用于光催化。
生物质碳成本低但导电性差(102–103 S m?1),而离子液体衍生碳(“贵族碳”)耐高温氧化。MOFs碳化保留微孔结构,但产率低(如Zn蒸发造孔)。
400–600°C热解利于保留C─F半离子键,但高温(>600°C)破坏键合。真空碳化提升导电性(105 S m?1)但减少杂原子残留,需权衡性能需求。
未来需精准调控掺杂构型(如AI辅助设计)、标准化数据集,并解决规模化生产的成本与工艺问题,以释放碳材料在绿色能源中的潜力。
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