基于EPDM的导电弹性体纳米复合材料开发及其静电耗散性能研究

【字体: 时间:2025年07月19日 来源:Polymer Testing 5.0

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  为解决工业领域静电积累引发的安全隐患和效率低下问题,研究人员开发了基于EPDM的导电弹性体纳米复合材料(ENCs),通过接枝聚苯胺(PANI)于海泡石(PgS)和氧化石墨烯(PgGO)的新型填料体系,实现了低表面电阻(65×103Ω/□)和超快静电半衰期(τ1/2=0.000005 s),同时兼具51 MPa拉伸强度和247%断裂伸长率,为电子设备防护提供了高性能解决方案。

  

在电子工业快速发展的今天,静电积累已成为威胁生产安全和设备寿命的隐形杀手。从医院精密仪器到航天电子设备,仅需20伏的静电放电就能损坏电路,而1400伏足以引发爆炸。全球每年因静电导致的电子废弃物高达6000万吨,这一数字仍在持续增长。传统绝缘材料如EPDM(三元乙丙橡胶)虽具优异机械性能,但其固有绝缘特性反而加剧了静电积聚风险。如何赋予这类材料导电性,同时保持其弹性、耐热等优势,成为材料科学领域的重大挑战。

国内某研究机构(根据CRediT署名信息推测为国内团队)的创新性研究给出了突破性答案。研究人员首次将聚苯胺接枝海泡石(PgS)、聚苯胺接枝氧化石墨烯(PgGO)及二者复合填料(PgS/rGO)引入EPDM基体,通过溶液浇铸法制备出三类弹性体纳米复合材料(ENC1-3)。这项发表于《Polymer Testing》的研究,不仅实现了材料导电性与机械性能的完美平衡,更创造了τ1/2仅0.000005秒的静电耗散纪录,为下一代抗静电材料树立了新标杆。

研究团队运用四大关键技术:1)氧化还原法制备GO和rGO;2)乳液接枝聚合构建PgS/PgGO导电填料;3)溶液浇铸结合热压成型工艺;4)多尺度表征(包括FTIR、Raman、FESEM-EDX、TGA和AFM)。通过系统优化填料比例(5-30 phr),实现了填料在EPDM基体中的均匀分散。

材料设计与表征
通过FTIR证实VTES硅烷化成功修饰海泡石表面(3625-3550 cm-1羟基峰位移),Raman光谱显示rGO的ID/IG比值达1.77,表明缺陷位点增加有利于电荷传输。XRD分析发现ENC3在2θ=26°出现石墨烯特征峰(d间距3.3 ?),证实填料有序分散。

微观形貌调控
FESEM显示PgS呈现60-70 nm直径的针状结构(原始海泡石仅10-30 nm),而PgGO形成80 nm的褶皱片层。ENC3中PgS与rGO相互缠绕的独特形貌,通过AFM表面粗糙度分析(Ra=79.5 nm)证实其致密性优于纯EPDM(Ra=111 nm)。

性能突破
热稳定性提升73%(从200°C至350°C),EN2在578°C仍保持90.2%残炭率。电学性能方面,ENC3表面电阻低至65×103Ω/□,符合ANSI导电材料标准(<106Ω/□)。机械性能呈现梯度提升:ENC3拉伸强度达51.2 MPa(纯EPDM仅0.8 MPa),交联密度4.0×10-2 mol/cm3,水接触角>90°显示优异疏水性。

这项研究通过分子设计实现了三重创新:1)创制PgS/PgGO新型导电填料;2)开发二元协同分散策略;3)建立结构-性能调控模型。其意义不仅在于解决了静电危害这一工程难题,更开辟了弹性体功能化新路径——未来可拓展至电磁屏蔽、柔性传感器等领域。正如作者指出,这种"一材多用"的特性,将显著降低电子产业防护成本,助力实现可持续发展目标。

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