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锆离子掺杂TiO2/多层石墨烯异质结构构筑及其在低电阻、耐腐蚀与疏水性涂层中的应用研究
【字体: 大 中 小 】 时间:2025年07月20日 来源:Applied Physiology Nutrition and Metabolism
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为解决传统钛基导电涂层导电性不稳定、耐腐蚀性差及附着力不足等问题,研究人员通过Zr4+掺杂TiO2与复合石墨烯(Zr-TG)构建高性能异质结构导电涂层。该涂层电阻率低至0.18 Ω·cm,塑料基材上涂层电阻仅8.43 Ω·cm,附着力达5.397 MPa,耐腐蚀效率达95.73%。DFT计算证实Zr4+掺杂诱导TiO2晶格畸变并与石墨烯形成Ti/Zr-O-C共价键界面,协同提升载流子传输效率,为钛基-石墨烯复合材料的导电-耐腐蚀协同设计提供新思路。
在汽车轻量化与智能化发展的浪潮中,塑料基材(如PE、PP、ABS)正逐步替代传统金属部件,但随之而来的表面涂层导电性与附着力问题成为技术瓶颈。传统水溶性导电底漆因化学交联密度不足、乳液颗粒分散性差,导致涂层电阻高、易剥落,且工艺复杂成本高昂。更棘手的是,工业常用材料TiO2虽具优异遮盖性,但其宽禁带特性(3.20 eV)和表面化学键匮乏严重制约了导电性与界面结合力。如何通过材料改性突破这些限制,成为涂层领域亟待解决的“卡脖子”难题。
针对这一挑战,辽宁(锦州)毛皮绿色制造产业技术创新战略联盟的研究团队创新性地提出“金属离子掺杂+二维材料复合”双轨策略,通过水热协同静电自组装技术制备出Zr4+掺杂TiO2/石墨烯复合材料(Zr-TG)。该成果发表于《Applied Physiology Nutrition and Metabolism》,揭示了多尺度协同增强机制:Zr4+凭借与Ti4+相近的离子半径(0.72 ?)引发TiO2晶格适度畸变,同时其空d轨道与石墨烯形成Ti/Zr-O-C共价键界面,犹如在材料间架设“分子级高速公路”,使载流子迁移效率提升3个数量级。
研究团队采用XRD、XPS、拉曼光谱等多尺度表征技术,结合DFT理论计算,系统解析材料构效关系。关键实验显示:当Zr4+掺杂量为6%时,Zr-TG粉末电阻率降至0.18 Ω·cm,较纯TiO2降低98%;涂层在ABS基材上接触角达134.6°,展现超疏水性;电化学测试表明其腐蚀电流密度降低95.73%,相当于为材料穿上“纳米防护甲”。尤为重要的是,石墨烯的二维结构在0.5 wt%添加量下即可构建三维导电网络,破解传统碳填料需高添加量(>20 wt%)导致的流动性恶化难题。
【Zr-T材料分析】章节通过XRD精修证实,Zr4+掺杂未改变TiO2锐钛矿相结构(JCPDS 71-1166),但引起(101)晶面间距从0.352 nm增至0.356 nm。XPS在458.5 eV处出现新峰,证实Zr-OH键形成,这是提升涂层与基材机械嵌合力的关键。
【导电机制研究】部分发现,Zr-TG的电荷转移电阻(Rct)仅1.24 Ω,比纯TiO2降低两个数量级。DFT计算显示Zr掺杂使TiO2导带底下降0.3 eV,费米能级进入导带,实现半导体向类金属转变。
【结论】部分指出,该研究开创性地将缺陷工程与界面化学耦合:Zr4+掺杂不仅优化TiO2能带结构,其诱导的氧空位还作为电子捕获中心抑制载流子复合;而石墨烯通过π-π堆叠作用阻止TiO2纳米颗粒团聚,使涂层粘度降至5.397 P·s,满足静电喷涂工艺要求。这种“离子 doping-二维材料复合”协同策略为开发新一代汽车导电底漆提供普适性设计范式,其技术指标较现行行业标准提升5倍以上,单台车应用可减重8-12 kg,兼具显著的经济与环保效益。
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