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电子显微镜中实现纳米尺度自旋波谱学:NiO晶体中太赫兹磁振子的直接观测
【字体: 大 中 小 】 时间:2025年07月25日 来源:Nature 50
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为解决晶体管微型化面临的散热和信息传输速度瓶颈,研究人员利用扫描透射电子显微镜(STEM)结合高分辨电子能量损失谱(EELS),首次在纳米尺度实现了对NiO晶体中太赫兹频段磁振子(magnon)的直接观测。该研究通过优化电子光学参数和采用混合像素电子探测器,成功克服了磁振子信号微弱的技术难题,并结合原子自旋动力学(ASD)模拟验证了实验结果。这项发表于《Nature》的工作为研究纳米尺度自旋波传播及其与结构缺陷的相互作用提供了新工具,对自旋电子学器件开发具有重要意义。
随着晶体管尺寸逼近物理极限,散热和信息传输速度成为制约半导体技术发展的关键瓶颈。这一挑战催生了自旋电子学(spintronics)的兴起——通过利用电子自旋而不仅是电荷来传递信息。然而,界面局域效应和结构缺陷会显著影响自旋器件的效率,这使得在纳米甚至原子尺度研究自旋波(即磁振子,magnon)传播成为关键科学难题。传统的光散射和中子散射技术受限于空间分辨率,无法探测纳米尺度特征对磁振子性质的影响。
英国国家先进电子显微镜研究中心(SuperSTEM)的Demie Kepaptsoglou团队在《Nature》发表突破性研究,首次利用扫描透射电子显微镜-电子能量损失谱(STEM-EELS)技术在纳米尺度实现了对NiO晶体中太赫兹磁振子的直接观测。研究人员通过优化实验参数,采用2.25 mrad会聚角形成1.3 nm电子束斑,结合Dectris ELA混合像素电子探测器,成功克服了磁振子信号比声子信号弱三个数量级的技术难题。通过位移环形暗场成像和动量分辨测量,不仅获得了100 meV能量处的磁振子特征峰,还观察到其沿Γ→M和Γ→X方向的非对称色散关系。研究团队开发了时间自相关辅助波函数(TACAW)新算法,结合原子自旋动力学(ASD)模拟,首次实现了对电子磁振子散射的理论预测与实验结果的定量匹配。
关键技术方法包括:1)采用60 kV加速电压的Nion UltraSTEM 100MC显微镜,配备高分辨率单色器(7.2 meV能量分辨率);2)使用矩形狭缝孔径实现动量分辨测量(Δq=0.4 ?-1);3)开发TACAW方法模拟温度依赖的磁振子散射;4)通过频率分辨冷冻声子多片(FRFPMS)方法计算声子散射背景;5)对NiO薄膜进行分子束外延生长和聚焦离子束制样。
研究结果部分:
"Magnon spectroscopy in the electron microscope"部分显示,通过背景扣除处理,在80-120 meV能量区间观察到清晰的磁振子信号,信噪比达22-59。沿Γ→M方向在q=1.24 ?-1处出现100 meV的强度峰,与中子散射结果一致但存在20 meV蓝移,这被归因于室温(300 K)与低温(10 K)测量的差异。
"Discussion and conclusions"部分指出,该技术实现了30 nm NiO薄膜的磁振子空间成像,信号在非磁性YSZ衬底界面1 nm内完全消失。相比传统中子散射需要数天积分时间,STEM-EELS仅需数小时即可获得纳米尺度分辨率数据。
这项研究标志着自电子显微镜中声子检测里程碑十年后,自旋电子学研究迎来了新的技术突破。通过将磁振子检测空间分辨率从微米提升至纳米尺度,为研究界面、缺陷对自旋波传播的影响提供了全新工具。随着低温样品台、可变场极靴等技术的发展,该方法有望进一步拓展至更广泛的磁性材料体系,推动自旋电子学器件向原子尺度精确设计迈进。
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