TAT与RVG共修饰间充质干细胞外泌体递送miR-15b-5p抑制剂通过激活HTR2C-ERK通路减轻脑缺血再灌注神经元凋亡

为解决脑缺血再灌注(I/R)损伤中神经元凋亡缺乏有效疗法的难题，研究人员开发了TAT和RVG共修饰间充质干细胞外泌体(TAT&RVG-Exo)搭载miR-15b-5p抑制剂的新型递送系统。通过MCAO/R小鼠模型和OGD/R细胞实验证实，该体系能突破血脑屏障靶向梗死周边区，通过调控HTR2C-ERK信号通路显著抑制神经元凋亡，为脑卒中治疗提供新策略。

　　

在脑缺血再灌注(I/R)损伤的复杂病理过程中，神经元凋亡是导致脑损伤的关键因素。有趣的是，血清外泌体(exosomes)和卒中患者脑组织中的microRNA-15b-5p(miR-15b-5p)水平异常升高，但其调控机制仍是个谜团。

研究团队巧妙设计了一种"特洛伊木马"式递送系统——将TAT穿膜肽与狂犬病毒糖蛋白(RVG)共同修饰在间充质干细胞外泌体(MSC-Exo)表面，内部装载miR-15b-5p抑制剂。这个纳米级"智能快递员"展现出惊人的能力：既能突破血脑屏障(BBB)防线，又能精准定位到缺血半暗带区域。

通过精巧的中脑动脉栓塞(MCAO/R)动物模型和氧糖剥夺再灌注(OGD/R)细胞实验，研究者发现miR-15b-5p如同"凋亡加速器"，通过抑制5-羟色胺受体2C(HTR2C)-细胞外信号调节激酶(ERK)这条"生存信号通路"来促进神经元死亡。而新型外泌体递送系统则像"分子开关"，有效阻断这一恶性循环，使神经元存活率显著提升。

这项研究不仅揭示了miR-15b-5p在脑缺血损伤中的"犯罪证据"，更开创性地将靶向递送技术与基因调控相结合，为卒中治疗提供了极具转化前景的新方案。