不同人工耳蜗电极对中耳声吸收影响的宽频鼓室图评估研究

为解决人工耳蜗(CI)对中耳力学特性影响机制的问题，研究人员采用宽频鼓室图(WBT)技术，对24例单侧CI使用者进行分组研究。结果显示植入耳在257-794 Hz频段声吸收值显著低于对侧耳(p<0.05)，但四种电极类型间无统计学差异(p>0.05)，为CI术后中耳力学变化评估提供了重要依据。

　　

这项开创性研究通过宽频鼓室图(Wideband Tympanometry, WBT)技术，揭示了人工耳蜗(Cochlear Implant, CI)植入对中耳声学特性的独特影响。研究团队对24名单侧CI使用者进行精密测量，按电极特性分为四组进行对比分析。

数据表明，在257Hz至794Hz低频范围内，植入耳的声吸收值(Absorbance)显著低于健侧耳(p<0.05)，这一发现暗示CI植入可能导致中耳传声系统力学特性的改变。有趣的是，当比较四种不同电极类型时，各频率段的吸收值差异均未达到统计学意义(p>0.05)，提示电极设计可能并非影响中耳力学的主要因素。

这些发现为理解CI术后中耳功能变化提供了新视角：虽然植入手术确实会改变低频声能传递效率，但电极类型的选择似乎不影响这一生物力学过程。研究团队建议扩大样本量进行长期追踪，以阐明这些力学变化与听力康复效果的潜在关联，为个性化CI方案制定提供更全面的科学依据。