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综述:新兴二维硼烯纳米材料:合成、特性及氢能应用
【字体: 大 中 小 】 时间:2025年07月28日 来源:Coordination Chemistry Reviews 20.3
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(编辑推荐)本综述系统梳理了二维硼烯(Borophene)从理论预测到实验合成的突破历程,重点阐释了其独特的电子缺陷结构、各向异性特征及金属性导电优势。作为最轻的二维材料(Xenes),硼烯在储氢(理论容量13.96 wt%)、电催化(HER/ORR)和离子电池(锂扩散能垒2.6 meV)领域展现出超越石墨烯的性能潜力,为氢能发展提供了革命性材料解决方案。
Abstract
硼作为碳的相邻元素,虽具有相似的sp2杂化特性,但其独特的电子缺陷结构(三价电子四轨道)导致更复杂的成键方式。与石墨不同,三维体相硼缺乏层状结构,使得机械剥离法制备硼烯(Borophene)面临挑战。最新研究表明,通过金属晶体基底(如Ag(111))可成功制备超薄硼烯,其展现出的金属导电性、各向异性和超高比表面积特性,为能源领域带来突破性机遇。
Introduction
自石墨烯问世以来,二维材料家族不断扩充,包括过渡金属硫化物(TMDs)、MXene等。作为单元素二维材料(Xenes)的新成员,硼烯因其不对称狄拉克锥(Dirac cone)结构和活性基底面位点备受关注。理论计算显示,硼原子簇在超过28个原子时会形成笼状结构,而较小尺寸则倾向于平面构型。通过分子束外延(MBE)法,研究者已在银基底上合成β12和χ3两种晶相,其周期性孔洞排列模式差异源于沉积速率和温度调控。
Synthesis of borophene
当前硼烯合成主要分为两类:金属基底沉积法(如MBE、CVD)和溶液剥离法。Ag(111)表面因适中的电荷转移能力成为理想基底,可补偿硼烯的电子缺陷。实验发现,低沉积速率下易形成条纹相,而高沉积速率则产生均匀相。值得注意的是,基底温度超过300°C时,硼原子会穿透银晶格形成亚表面结构,这对控制硼烯质量提出挑战。
Properties and hydrogen energy application
硼烯的电子结构赋予其三大核心优势:
Conclusion and outlook
尽管硼烯研究取得进展,但实现无基底自支撑结构仍是难点。未来研究应聚焦于:
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