颞叶癫痫记忆障碍的核心干扰因素：内侧颞叶间歇期癫痫样放电(IEDs)的临床意义研究

这篇研究通过48例颞叶癫痫(TLE)患者的侵入性卵圆孔电极监测，首次系统论证了内侧颞叶间歇期癫痫样放电(mtIEDs)率与海马依赖性记忆功能(r=-0.43--0.29,p<0.05)的显著负相关，揭示IEDs是比癫痫病程、抗癫痫药物(ASM)等更关键的认知损害可调控因素，为临床认知保护提供了精准干预靶点。

　　

Highlight
我们的研究发现内侧颞叶间歇期癫痫样放电(mtIEDs)可能是导致局灶性癫痫患者持续认知障碍的最关键干扰因素。虽然IEDs已被确认为短暂认知障碍的生物标志物，但其作为长期认知功能障碍指标的敏感性和特异性尚未充分证实。本研究首次揭示了IED频率作为预测慢性认知衰退的实用临床生物标志物的潜力。

Discussion
在针对成人颞叶癫痫(TLE)患者的研究中，我们采用植入式卵圆孔(FO)电极监测，重点探究了导致海马依赖性记忆缺陷的潜在因素。研究发现mtIEDs频率与海马依赖性认知评分呈显著负相关。特别值得注意的是，清醒状态下的30分钟延迟回忆测试分数与IEDs的相关性比非快速眼动(NREM)睡眠期更为显著。虽然较长病程与认知损害存在一定关联，但其他临床因素如发作频率等未显示显著影响。

Conclusions
癫痫相关认知功能障碍是临床重大挑战，阐明其机制对改善治疗至关重要。本研究首次系统评估了局灶性癫痫持续认知损害的影响因素，并确定了内侧颞叶间歇期癫痫样活动是可调控因素中的首要干预靶点，其影响超过癫痫病程、抗癫痫药物等其他因素。这些发现为开发针对性治疗策略提供了重要依据，强调通过控制间歇期异常电活动来改善认知预后的临床价值。