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通过物理气相沉积实现高容量硅基负极更高预锂化度:均质性与性能的影响
【字体: 大 中 小 】 时间:2025年08月05日 来源:Advanced Energy and Sustainability Research 5.7
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这篇研究聚焦高容量硅电极(11.9 mAh cm?2)的物理气相沉积(PVD)预锂化技术,揭示了碳酸盐杂质在新鲜沉积锂表面的不可避免性。通过扫描电镜(SEM)和核磁共振(NMR)证实,14%预锂化度(432 μg cm?2)下锂团聚体仍残存表面导致不均质,但在LiNi0.6Co0.2Mn0.2O2电池中,预锂化电极的循环寿命从55%提升至76%健康状态(SOH)。
1 引言
锂离子电池(LIBs)因优异的能量/功率密度和循环寿命成为储能领域主导技术。硅(Si)负极凭借2194 mAh cm?3的体积容量显著优于石墨(719 mAh cm?3),但其充放电过程中300%的体积膨胀导致固态电解质界面(SEI)持续再生和活性锂(active Li)损耗。预锂化技术通过额外补充锂库存成为解决该问题的关键策略,其中物理气相沉积(PVD)因其高纯度沉积特性备受关注。
2 结果与讨论
研究团队对80 wt%硅微米颗粒电极进行PVD预锂化,通过石英晶体微balance(QCM)精确控制锂沉积量(21-432 μg cm?2)。扫描电镜显示:
0.7%预锂化度(21 μg cm?2)时硅颗粒表面粗糙化
2.6%预锂化度(80 μg cm?2)出现1 μm锂团聚体
14%预锂化度(432 μg cm?2)形成30 μm锂聚集体
X射线光电子能谱(XPS)证实沉积锂会与硅表面原生SiOx层反应生成Li2O和Li-Si-O化合物。7Li核磁共振揭示:
低预锂化度(144 μg cm?2)形成Li7Si3/Li12Si7相(化学位移15-20 ppm)
高预锂化度(432 μg cm?2)生成Li13Si4/Li15Si4相(6-12 ppm)
3 结论
PVD预锂化在工业级高容量电极(12 mAh cm?2)中面临均质性挑战:
锂渗透深度达20 μm,但局部过锂化会阻止进一步扩散
残留表面锂金属可能引发安全隐患
在NCM622||Si全电池中仍实现循环寿命提升21%
4 实验方法
研究采用MBraun PROvap系统进行PVD沉积,沉积速率20 ? s?1,真空度10?5 mbar。电化学测试采用1M LiPF6 in FEC:EMC(3:7)电解液,N/P比设定为2.3以缓解硅负极体积效应。
这项研究为高能量密度电池开发提供了重要启示:PVD预锂化需结合后续热处理或压延工艺来改善锂分布均质性,同时需警惕硅材料过锂化引发的机械应力问题。
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