(002)择优取向脉冲激光沉积ZnO薄膜的光敏Al/ZnO/Pt肖特基结电子传输特性研究

研究人员通过脉冲激光沉积(PLD)技术制备(002)择优取向的ZnO薄膜，系统研究了Al/ZnO/Pt金属-半导体-金属(MSM)结的电子传输特性。X射线衍射(XRD)显示薄膜结晶尺寸为20.05 nm，在LED光照下测得肖特基势垒高度0.78 eV，响应/恢复时间分别为0.93 s/0.55 s，为开发新型光电器件提供了重要参考。

　　

这项研究揭示了脉冲激光沉积(PLD)制备的(002)择优取向氧化锌(ZnO)薄膜的独特电子传输行为。通过X射线衍射(XRD)分析显示，薄膜具有20.05 nm的平均晶粒尺寸（采用Debye-Scherrer公式计算）。基于该薄膜构建的铝/氧化锌/铂(Al/ZnO/Pt)金属-半导体-金属(MSM)结在室温测试中展现出有趣的光电特性：在LED手电筒照明条件下，测得肖特基势垒高度(SBH)为0.78 eV，理想因子高达6.92。更引人注目的是，该器件表现出优异的光响应特性，响应时间和恢复时间分别达到0.93秒和0.55秒，这种快速响应特性使其在光电传感器领域具有重要应用潜力。研究团队特别声明本研究不存在利益冲突。