在365 nm和430 nm激发下，InGaN/GaN材料的空间和时间光致发光动态特性比较

《physica status solidi (b)–– basic solid state physics》：Comparison of the Spatial and Temporal Photoluminescence Dynamics in InGaN/GaN at 365 nm and 430 nm Excitation

研究InGaN/GaN光学器件中高铟浓度样品的发光效率及闪烁现象，发现365nm全激发波长下闪烁点更多，而442nm选择性激发下闪烁减少，可能与陷阱复合机制差异有关。

　　

摘要

InGaN/GaN光器件的发射波长覆盖了整个可见光范围，具体取决于铟的成分比例。然而，高浓度铟样品（绿色发光）的光学效率会降低。在这些样品中，发光效果不够均匀，并且还出现了光致发光不稳定性（闪烁现象）。尽管闪烁现象的发光机制尚未完全阐明，但定性分析表明这种现象与位错的存在有关。为了研究这些问题，本文报道了在两种不同波长下刺激时闪烁现象的变化：一种波长仅激发InGaN层（442纳米），另一种波长同时激发InGaN和GaN层（365纳米）。在同时激发InGaN/GaN层的情况下，观察到了更多的闪烁点，这与之前的研究结果一致；而在选择性激发InGaN层的情况下，光致发光的均匀性显著提高，闪烁点的数量减少，其大小和对比度也有所改善，甚至完全消失。这可能是因为选择性激发时涉及的陷阱和复合路径较少，从而使得复合过程更为简单。相反，同时激发会产生复杂的复合过程，需要通过许多非选择性激发所涉及的陷阱来传递能量，从而导致光致发光的对比度降低和明显的局部闪烁现象。

利益冲突

作者声明不存在利益冲突。