综述：荧光B(III)和Sn(IV)希夫碱的合成、光物理性质、涌现行为、应用及荧光机理

这篇综述系统阐述了基于稠合吲哚[3,2,1-jk]咔唑（fICZ）框架的窄带绿色热激活延迟荧光（TADF）发射体的创新设计。通过外围供体修饰策略，成功将发射波长红移>70 nm（ΔEST<0.3 eV），实现FWHM仅26-28 nm的高色纯度发光，并引入高阶3LRCT态促进RISC过程，最终获得EQE达30.5%的高效OLED器件。

　　

Abstract

有机窄带发射体在高清显示用有机发光二极管（OLED）中展现出巨大潜力。稠合吲哚[3,2,1-jk]咔唑（fICZ）框架作为开发窄带发射体的新范式，其发射波长红移与反向系间窜越（RISC）激活始终是重大挑战。研究团队通过在双稠合吲哚咔唑（bisICZ）的HOMO主导位点引入二苯氨基类供体基团，成功将发射光谱红移至500-523 nm，同时保持26-28 nm的窄半峰宽。供体修饰不仅缩小了单重态-三重态能隙（ΔE_ST），还引入高阶长程电荷转移三重态（³LRCT）作为RISC通道的关键中间态。

Introduction

传统TADF材料因给体-受体（D-A）扭曲结构导致发射谱宽（FWHM>50 nm），而多共振（MR）效应可使FWHM<40 nm。bisICZ框架中C/N原子电负性差异产生HOMO/LUMO交替分布，但单纯延伸共轭会增大ΔE_ST。本研究创新性地在bisICZ的para位引入二苯氨基（DPA）、叔丁基二苯氨基（tBuDPA）和甲氧基二苯氨基（MeODPA），通过供体修饰同时实现发射红移、ΔE_ST减小和SOC增强。

Synthesis

采用两步法合成路线：首先通过3,6-二取代咔唑与1,4-二溴-2,5-二氟苯的亲核取代反应制备中间体，再经分子内环化构建目标产物。该方法相比传统B,N-MR-TADF材料合成更简便，避免了烷基锂试剂和硼三卤化物的苛刻反应条件。

Conclusion

该工作证实外围供体修饰可协同调控bisICZ框架的SRCT/LRCT特性，兼具窄带发射（FWHM 28 nm）和高效RISC（Φ_PL≈100%）优势。溶液加工器件EQE达24.7%，真空蒸镀器件更突破30.5%，为开发全彩窄带TADF材料提供了新思路。

CRediT authorship contribution statement

张珂完成论文撰写与数据分析，杨森等参与材料合成与表征，何磊教授指导研究设计。所有作者声明无利益冲突。

Acknowledgements

感谢中央高校基本科研业务费（CCNU22QN008）、111引智计划（B17019）和大学生创新创业训练计划（S202510511024）的资助。