基于4,4′-联咔唑衍生物的大位阻工程开发高效窄谱多共振TADF发光体

本研究针对多共振热激活延迟荧光(MR-TADF)材料普遍存在的聚集诱导淬灭(ACQ)效应，创新性地将大位阻4,4′-联咔唑衍生物引入MR核心(BCz-BN)，开发出BCz-BNDCzMe和BCz-BNDCzPh两种新型发光材料。在高掺杂浓度(10-20 wt.%)条件下，器件最大外量子效率(EQEmax)提升至26.75-28.31%，发射峰蓝移至481-482 nm，半峰宽(FWHM)缩窄至25-26 nm，显著优于传统材料在3 wt.%掺杂时的20.50% EQEmax。该突破为开发高性能OLED器件提供了新思路。

　　

这项突破性研究巧妙运用大位阻工程策略，将4,4′-联咔唑衍生物嫁接到多共振热激活延迟荧光(MR-TADF)核心结构上。传统MR-TADF发光体虽然具有优异的激子利用效率和色彩纯度，但其高度共轭的平面结构容易导致π-π堆积，引发令人头疼的聚集诱导淬灭(ACQ)效应。

研究团队设计合成的BCz-BNDCzMe和BCz-BNDCzPh两种分子展现出惊艳的性能提升：发光波长蓝移至481-482 nm，半峰宽(FWHM)压缩到25-26 nm。更令人振奋的是，在高浓度掺杂(10-20 wt.%)条件下，器件外量子效率(EQE_max)飙升至26.75-28.31%，完胜传统材料在3 wt.%掺杂时20.50%的表现。

这些发现生动诠释了大位阻基团在抑制分子间相互作用方面的独特价值，不仅有效缓解了ACQ效应，还实现了高掺杂浓度下的效率突破，为开发新一代高性能有机发光二极管(OLED)指明了方向。