银基卤化物钙钛矿AgEX3的结构与光电特性研究:面向光伏应用的DFT计算与性能优化

【字体: 时间:2025年08月16日 来源:Next Materials CS1.9

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  为解决铅基钙钛矿的环境毒性及稳定性问题,研究人员通过密度泛函理论(DFT)系统研究了银基卤化物钙钛矿AgEX3(E=Ge/Sn;X=Cl/Br/I)的结构、光电及热力学性质。结果表明,该材料具有0.86-1.20 eV的理想带隙、高折射率(n=2.98-5.30)和负形成能(ΔEf=-1.50至-1.08 eV),其碘化物变体AgSnI3更展现出优异的电荷传输性能(极化率173.82 a.u.)和热稳定性(熵120.98 cal·mol-1·K-1)。这项研究为开发高效无铅光伏材料提供了理论依据。

  

随着全球能源需求激增,钙钛矿太阳能电池(PSCs)因其26%的认证效率成为光伏领域的研究热点。然而传统铅基钙钛矿存在环境毒性问题,且有机-无机杂化钙钛矿(OIHPs)面临热稳定性差(效率衰减>2%)的瓶颈。为此,昌迪加尔大学化学系的研究人员通过第一性原理计算,首次系统研究了立方相银基卤化物钙钛矿AgEX3的构效关系,相关成果发表在《Next Materials》上。

研究采用APFD/LanL08杂化泛函进行DFT计算,结合TD-DFT(时间依赖密度泛函理论)分析光学性质,通过VESTA软件构建三维晶体结构,并利用GaussSum 3.0生成态密度谱。关键参数包括:基于SQL(Shockley-Queisser极限)的带隙评估、Lorentz-Lorenz公式计算的介电常数(ε=n2),以及CDFT(概念密度泛函理论)描述符(如亲电指数ω=μ2/2η)。

3.1 原子排列

立方晶系(空间群Pm3m)的AgEX3呈现规律性键长变化:Ag-Ge(2.60-3.03 ?)3)增至6.01 ?(AgSnI3)。稳定性分析显示,Ge基材料的容忍因子(t=0.90-0.93)更接近理想值1,而AgGeCl3的形成能最低(-1.50 eV)。

3.2 电子特性

带隙调控范围覆盖可见-近红外区(0.86-1.20 eV),其中AgGeCl3(1.20 eV)对应32.74%的理论光电转换效率(PCE)。态密度(DOS)分析表明,α/β自旋通道对称,证实其为非磁性半导体。

3.3 分子反应性

CDFT描述符揭示AgSnI3具有最优电荷传输性能:高核ophilicity指数(N=0.43 eV)、低硬度(η=1.31 eV),其极化率(173.82 a.u.)是AgGeCl3的1.98倍。

3.4 光学性能

五类经验公式计算的折射率显示AgSnI3最高(n=5.30),其介电常数(ε=28.09)显著优于硅基材料。TD-DFT预测AgSnI3在819 nm处存在强吸收峰。

3.7 热力学参数

AgSnI3展现最佳热稳定性:吉布斯自由能-23.98 kcal·mol-1,零点振动能(ZPVE)仅1.05 kcal·mol-1,显著降低晶格热振动损耗。

该研究通过多尺度计算证实,AgSnI3兼具理想带隙(0.86 eV)、高光捕获能力(n>5)和热稳定性(ΔG<0),其性能参数超越传统CsPbI3。特别值得注意的是,通过E位(Ge/Sn)和X位(Cl/Br/I)双调控策略,实现了从紫外(504 nm)到近红外(826 nm)的全光谱吸收覆盖。这项工作不仅为无铅钙钛矿设计提供了新思路,其建立的APFD/LanL08计算框架还可推广至其他卤化物半导体研究。未来需重点解决碘化物相在水氧环境下的稳定性问题,并通过梯度掺杂进一步优化载流子迁移率。

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