探索Scholl型氧化偶联机制：通过电子编程实现路径揭示、选择性调控与精准控制

《Chemistry – A European Journal》：Navigating Scholl-Type Oxidative Coupling: An Electronic Programming Toward Path Revelation, Selectivity, and Control

Scholl型氧化偶联中四芳基噻吩框架的电子效应调控研究揭示：通过Hammett σp常数指导的取代基电子性质差异可精准控制单/双环化路径，实现芳基取代基序（OMe＞Me＞tBu＞H＞Ph＞F＞Cl＞CHO＞CF3）导向的反应选择性调控，建立π-架构定向构建的电子预测模型。

　　

图形摘要

芳基取代基在四芳基噻吩中的Scholl型氧化偶联过程中起着关键作用，通过电子步骤的区分和控制，实现了选择性的单环化与双环化。在本研究中，我们利用Hammett σ_p常数来解析反应性趋势、面选择性以及偶联路径，为区域选择性π结构的构建提供了预测性方案。

摘要

Scholl型芳基-芳基氧化偶联是一种构建扩展π系统的有效方法，但实现区域选择性和步骤控制仍然是一个挑战。本研究系统地研究了四芳基噻吩（TAT）框架，揭示了芳基取代基的微妙电子效应如何影响C-C键的形成效率、选择性和偶联路径。通过电化学势和Hammett σ_p常数的指导，我们确定了反应性顺序：OMe > Me > tBu > H > Ph > F > Cl > CHO > CF3，表明富电子的芳基能促进高效的偶联，而缺电子的基团则会抑制反应性。重要的是，通过电子步骤的区分，我们可以实现面选择性的单环化产物，策略性地配对电子性质不同的芳基可以控制同环化或交叉偶联的结果，从而精确控制连续的偶联过程。我们的发现揭示了一个简单而强大的电子模型，用于预测偶联结果和产物演变，并为设计多芳基结构中的区域选择性氧化环化提供了合理路径，以实现精确的π结构。

利益冲突

作者声明没有利益冲突。