双层Kagome金属ScV6Sn6中发现中间向列态:竞争电荷密度波涨落诱导的新奇对称性破缺

【字体: 时间:2025年08月24日 来源:Nature Communications 15.7

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  本研究揭示了双层Kagome金属ScV6Sn6在电荷密度波(CDW)相变温度TCDW(93K)与次级相变温度T*(86K)之间存在的独特中间向列态。通过综合输运、热力学、光学及Sagnac干涉测量,研究人员首次发现该材料在83-93K温区自发打破六重旋转对称性,形成与CDW涨落竞争相关的电子向列相。这一发现为理解Kagome体系中对称性破缺与电子关联的相互作用提供了新视角,相关成果发表于《Nature Communications》。

  

在量子材料研究领域,自发对称性破缺是理解奇异物态的核心线索。Kagome金属因其独特的几何阻挫和电子关联效应,成为发现新物态的理想平台。其中,ScV6Sn6作为RT6X6家族成员,其V原子构成的双层Kagome晶格(

)具有多重Van Hove奇点(VHS)和狄拉克点,为关联电子态的形成创造了条件。虽然该材料在80-95K会发生√3×√3×3的CDW相变,但此前研究未能解释为何在86K会出现第二个电阻率陡降(
)。这一现象暗示可能存在未被发现的中间相,而揭示其本质对理解CDW与向列序的耦合机制至关重要。

研究团队采用多尺度表征技术揭示了这一谜团。通过高精度比热测量,首次在86K检测到次级相变峰(

),证实其为热力学相变。光学反射率测量排除了样品不均匀性的干扰,而零磁场输运实验发现ab面电阻各向异性在TCDW时突增至16%,至T*时部分恢复至10%。偏振旋转测量进一步捕捉到ab面二重对称性破缺,其主轴与Kagome晶格a轴对齐(
)。

关键实验技术

  1. 1.

    晶体生长:采用锡熔剂法合成高质量ScV6Sn6单晶,残余电阻比(RRR)达9

  2. 2.

    综合物性测量:包括比热(PPMS系统)、四探针电阻及方向性输运

  3. 3.

    光学表征:1.55μm波长反射率与偏振旋转测量

  4. 4.

    磁光克尔效应(MOKE):零面积Sagnac干涉仪检测时间反演对称性破缺

  5. 5.

    第一性原理计算:VASP软件包分析CDW相变前后的自旋极化

研究结果

  1. 1.

    双相变特征

    比热主峰(93K)和次峰(86K)分别对应CDW相变和中间相变,光学反射率同步变化证实其本征性。

  2. 2.

    时间反演对称性保持

    Sagnac干涉仪测量(

    )显示MOKE信号θK在±0.01μrad精度内无自发信号,排除隐藏磁性的可能。
  3. 3.

    中间向列态特征

    ab面电阻各向异性Ryy/Rxx在TCDW时突降至0.84,T*时恢复至0.90;偏振旋转测量显示二重对称性模式θTpsin(2α-30°),最大旋转达0.5mrad。

  4. 4.

    CDW竞争机制

    理论计算表明,√3×√3×3 CDW(qs)与竞争性q* CDW涨落的混合可能导致层间相位失配(

    ),在特定层产生局域各向异性。

结论与意义

该研究首次在ScV6Sn6中发现介于CDW相变与次级相变之间的中间向列态,其温度范围(86-93K)与空间特征均不同于此前STM报道的70K以下单元胞内向列序。这种由竞争CDW涨落诱导的对称性破缺,为理解Kagome材料中电子关联与晶格自由度的耦合提供了新范式。特别值得注意的是,该向列态与AV3Sb5家族中报道的nematicity存在本质差异:前者伴随CDW涨落减弱而消失,后者则需外场诱导。这一发现将推动对几何阻挫体系中多阶段对称性破缺的深入研究。

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