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高相含量细粒度聚碳硅烷衍生Ti3SiC2的合成及其微波吸收性能研究
【字体: 大 中 小 】 时间:2025年08月25日 来源:Small 12.1
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研究人员通过聚合物衍生陶瓷(PDC)技术,成功合成平均晶粒尺寸≈473 nm、纯度达83.4 wt.%的Ti3SiC2(钛硅碳化物)。该研究创新性采用纳米Al/Si协同调控策略,显著提升MAX相纯度(从27.7 wt.%至83.4 wt.%),并证实其卓越的电磁波吸收性能(最小反射损耗-40.21 dB@17.20GHz),为新型微波吸收材料开发提供重要参考。
这项突破性研究揭示了聚碳硅烷(Polycarbosilane, PCS)衍生技术制备高纯度钛硅碳化物(Ti3SiC2)的奥秘。作为兼具金属和陶瓷特性的MAX相材料,Ti3SiC2的合成通常面临晶粒粗化和相纯度低的难题。研究团队巧妙运用纳米铝(15 wt.% Al)作为"扩散加速剂",使Ti3SiC2含量飙升至73.5 wt.%,较单一钛粉体系提升2.6倍。更令人振奋的是,额外添加15 wt.%硅(Si)后,材料完成华丽蜕变——残余碳化钛(TiC)几乎完全转化为Ti3SiC2,纯度达到惊人的83.4 wt.%,同时晶粒尺寸精细控制在亚微米级(≈473 nm)。
这种"纳米合金配方"的魔力不止于此。当电磁波(EMW)遭遇这些精心设计的Ti3SiC2晶体时,在17.20 GHz频率下产生-40.21 dB的"黑洞级"吸收效果,相当于99.99%的电磁波能量被吞噬。其秘密在于材料内部丰富的异质界面引发的极化损耗,以及精准调控的阻抗匹配特性。该材料在1600°C高温下仍保持稳定,为新一代耐高温微波隐身涂层和电子对抗材料开辟了道路。
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