综述：半导体带隙测量技术：光学、电学及器件层面方法概述

这篇综述系统梳理了半导体材料带隙（bandgap）测量的关键技术，涵盖紫外-可见光谱（UV-Vis）、光致发光光谱（PL）等光学方法，以及电学测量与器件性能关联分析，为太阳能电池（solar cells）、发光二极管（LEDs）等器件的研发提供了精准表征框架。

　　

Abstract

半导体材料作为现代电子与光电器件的核心，其带隙（bandgap）的精确测定直接关系到器件性能优化。光学技术如紫外-可见光谱（UV-Vis）通过自吸收边（self-absorption edge）解析带隙，而光致发光光谱（PL）则捕捉材料发光特性。电学测量则从器件层面揭示带隙与导电性能的关联，为太阳能电池（solar cells）和发光二极管（LEDs）的设计提供理论支撑。

Graphical Abstract

本文整合光学与电学方法，构建了多维度带隙分析体系。图示中，光谱曲线与电流-电压特性曲线交织，凸显了“材料-器件”协同优化的研究路径。例如，通过PL谱的峰值偏移可推断量子限域效应，而电学测量中的Arrhenius图则能计算载流子激活能，二者互补验证带隙值。

（注：因原文未提供具体实验数据与作者单位，以上内容基于综述框架及典型半导体表征逻辑缩编，保留原文术语如LEDs、UV-Vis等，并避免文献引用标识。）