多面体GaN模板上集成多色InGaN量子阱的窄化发射光谱研究

研究人员针对InGaN量子阱(QWs)在3D GaN模板上发射光谱过宽的问题，通过化学机械抛光(CMP)预处理技术，成功将发射光谱宽度降低20%，为超高分辨率微米LED(micro-LED)显示器的多色集成生长提供了标准化工艺方案。

　　

多面体结构的氮化镓(GaN)模板上生长的铟镓氮(InGaN)量子阱(QWs)，其发射光谱比平面结构更宽。扫描电镜(SEM)和阴极发光(CL)光谱分析揭示，这种展宽源于量子阱区域晶体再生长过程中形成的表面起伏。研究团队创新性地采用化学机械抛光(CMP)技术预处理三维GaN模板，有效抑制了表面起伏的形成，使发射光谱宽度显著缩减20%。该突破性方法为单片集成多色微米LED(micro-LED)的制备工艺树立了新标准，有望推动超高分辨率显示技术的发展。图文摘要生动展示了CMP处理前后表面形貌与发光特性的对比，直观呈现了该技术在优化氮化物半导体器件性能方面的关键作用。