UiO-66限域效应对铜纳米团簇催化H2解离活性的调控机制研究

【字体: 时间:2025年08月31日 来源:Molecular Catalysis 4.9

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  本文通过计算模拟揭示了UiO-66限域环境对Cun团簇(n=4,8,16,32)催化H2解离的调控机制:1)限域诱导Cu部分氧化位点增加促进H2活化;2)H2在Cu表面的吸附位点依赖性电极化现象;3)限域改变H原子吸附能力从而调控反应活性。研究为MOF(金属有机框架)封装金属团簇在加氢反应中的界面电子效应提供了新见解。

  

Highlight

本工作通过计算手段研究了UiO-66限域对Cun团簇(n=4,8,16,32)在H2解离中的催化活性影响。发现:1)UiO-66限域导致Cu位点部分氧化,显著提升H2活化能力;2)H2分子在Cu表面吸附时会产生电极化现象,且该效应强烈依赖于吸附位点;3)限域环境通过改变Cu团簇对H原子的吸附特性,进而调控其解离活性。

Computational methods

采用密度泛函理论(DFT)框架下的维也纳第一性原理模拟软件包(VASP)进行计算。所有结构优化均达到能量收敛阈值10?5 eV和力收敛阈值0.03 eV/?。通过投影缀加平面波(PAW)方法处理核心电子,并采用PBE泛函描述电子交换关联作用。

Electronic and geometric properties of catalysts

研究发现:未限域的Cu4呈现二维平面菱形结构(D2h对称性),其晶体轨道哈密顿布居(COHP)分析显示活性位点间存在高值反键轨道占据。而UiO-66限域后,Cu团簇几何构型发生显著变化,并伴随明显的电荷转移现象。

Concluding remarks

本研究揭示了UiO-66限域环境通过三种机制调控Cu团簇的H2解离活性:电子结构修饰、界面电极化效应和吸附能力改变。不同于传统的LUMO填充活化机制,发现了H2在Cu团簇顶位吸附时独特的电极化现象,为MOF限域催化体系的设计提供了新思路。

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