电场调控下ZnSe/CdSe/ZnSe量子阱的光电特性：Razavy与P?schl–Teller限域势的对比研究

研究人员通过单带有效质量近似和变分法，探究了电场及结构参数对ZnSe/CdSe/ZnSe量子阱光电性能的影响，重点对比了Razavy与P?schl–Teller限域势的作用。研究发现电场可诱导吸收系数和折射率变化产生红移，为新一代光学器件设计提供了理论依据。

　　

这项研究揭示了电场对ZnSe/CdSe/ZnSe量子阱(QW)光电性能的调控机制。通过Razavy和P?schl–Teller两种限域势模型，科研人员采用单带有效质量近似(EMA)结合变分法，精确计算出量子阱中受限子带能量及激子(exciton)结合能。更有趣的是，当施加外电场时，吸收系数(absorption coefficients)和折射率变化(refractive index changes)均表现出显著的红移现象——就像被拉长的弹簧，光响应波长向长波方向移动。这种电场诱导效应源于波函数重叠减弱，如同两个逐渐疏远的舞伴，导致振荡强度(oscillator strength)随电场增强而降低。研究还通过对角化方法系统分析了不同势参数下的光学特性，为设计可调谐纳米光电器件（如量子点激光器或光电探测器）提供了重要理论支撑。图形摘要生动展示：随着电场(E)增大，阱宽对振荡强度的影响曲线呈现规律性衰减，这正是量子受限效应与电场调控协同作用的直观体现。