综述：通过化学钝化减少表面缺陷以实现高性能钙钛矿/硅串联太阳能电池

本综述系统探讨了表面钝化技术对提升钙钛矿/硅（perovskite/c-Si）串联太阳能电池功率转换效率（PCE）的关键作用，重点对比了分子钝化（molecular passivation）与异质结钝化（heterojunction passivation）在纹理表面的性能差异，为产业化瓶颈突破提供理论指导。

　　

Graphical Abstract

表面钝化处理是提升钙钛矿/c-Si串联太阳能电池性能的核心策略。研究揭示了宽禁带钙钛矿薄膜表面缺陷对产业化的阻碍，通过分子钝化（如自组装单分子层）和异质结钝化（诱导低维钙钛矿形成）两种化学键合机制，显著降低了界面复合损失。值得注意的是，溶液加工与真空沉积等技术在纹理基底上的钝化效果差异为工艺选择提供了重要依据。

Abstract

随着光伏降本需求激增，钙钛矿/硅串联电池因效率突破潜力备受关注。然而，顶电池钙钛矿薄膜的表面缺陷严重制约其产业化进程。本文首先分类阐述了缺陷类型与钝化机制，指出化学键合钝化通过分子层覆盖或低维相形成（如2D/3D异质结）实现高效缺陷抑制。进一步分析了晶体硅衬底上钙钛矿薄膜的钝化工艺兼容性，强调溶液法与真空沉积在共形覆盖能力上的差异。最后提出商业化面临的核心挑战：钝化剂热稳定性、规模化沉积均匀性及成本效益平衡。

Conflict of Interest

作者声明无利益冲突。

（注：全文严格基于原文实验结论，未添加主观推断。专业术语如"宽禁带（wide-bandgap）"、"共形沉积（conformal deposition）"等均保留原文表述，分子结构描述采用"3D/2D perovskite"等标准格式。）