双空穴注入层高效量子点发光器件：突破微显示技术瓶颈的创新策略

本文推荐：量子点发光器件（QLEDs）在微显示领域面临空穴注入不足和漏电流等挑战。作者创新性采用自组装有机小分子层构建双空穴注入层（HIL），结合超细像素隔离结构（CBL），使器件外量子效率（EQE）提升至19.6%，功率效率（PE）达20.63 lm/W。该研究为AR/VR近眼显示提供了高性能解决方案。

　　

Highlight

通过直接光刻技术成功制备高效高分辨率QLEDs：在传统PEDOT:PSS上自组装2PACz分子层形成双空穴注入层（HIL），显著降低空穴注入势垒；同时设计蜂窝状电荷阻挡层（CBL）隔离非发光区的HTL/ETL接触。优化后器件EQE达19.6%，PE提升至20.63 lm/W，远超对照组（14.6%，10.54 lm/W）。

Materials

DL-1000-C光刻胶购自日本东丽，PEDOT:PSS、氧化锌（ZnO）和2PACz来自西安优睿太阳能有限公司。聚合物PF8Cz购自伏安光电，交联剂DTBPA采购于阿拉丁，银电极材料由中诺先进材料科技提供。

Results and Discussion

图1展示直接光刻制备微米级量子点阵列：当交联剂浓度＞3 wt%时图案边界模糊，1 wt%为最佳配比（图1a）。1.5 μm像素直径的RQD阵列呈现清晰边缘（图1b-d），2.5 μm间距的蜂窝状CBL有效阻隔漏电流（图1e）。

Conclusion

该研究通过双HIL设计和CBL空间隔离策略，解决了高分辨率QLEDs的载流子失衡和漏电流难题。瞬态电致发光（TREL）测试显示器件具备快速响应特性，为近眼显示应用提供创新技术路径。