高效耐热深蓝OLED发光体的屏障高位反向系间窜越平衡设计

为解决深蓝有机发光二极管(OLED)在色纯度、光致发光强度与激子利用率间的矛盾问题，研究人员通过修饰咔唑取代基合成两种基于芘基膦氧化物的深蓝发光体。该研究实现了发射红移、高光致发光量子产率(PLQY)与有利跃迁特性的平衡，并利用高位反向系间窜越(hRISC)增强激子收集效率。所得OLED器件最大外量子效率(EQE)达11.23%和8.14%，CIE坐标分别为(0.15,0.07)和(0.15,0.12)，且在500K高温下电致发光(EL)强度提升22-71倍，为极端环境节能OLED应用提供新思路。

　　

在显示与固态照明领域，开发高效深蓝有机发光二极管(OLED)发光体面临严峻挑战——色纯度、光致发光强度与激子利用率如同"不可能三角"般难以兼得。科研团队巧妙设计两种芘基膦氧化物发光材料，通过咔唑取代基的精准修饰，在发射红移程度、光致发光量子产率(PLQY)和跃迁特性间找到完美平衡点。更令人振奋的是，高位反向系间窜越(hRISC)过程如同"激子收割机"，显著提升器件效率。最终制备的OLED器件展现出11.23%和8.14%的外量子效率(EQE)，色坐标(0.15,0.07)和(0.15,0.12)完美符合深蓝标准。当温度从室温飙升至500K时，深蓝和白光OLED的电致发光(EL)强度分别增强22倍和71倍，这种"遇强愈强"的热稳定性使其在极端环境应用中大放异彩。该研究为开发节能型耐高温OLED提供了全新分子设计策略。