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基于电化学转化金属有机框架的DNA适配体传感器实现超痕量汞检测
【字体: 大 中 小 】 时间:2025年09月05日 来源:Microchemical Journal 5.1
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本文推荐一种基于镧系金属有机框架(Gd4-MOF)和电化学转化技术的新型DNA适配体传感器,通过原位生成普鲁士蓝(PB)活性物质,实现对汞离子(Hg2+)的1fM-200fM超灵敏检测。该传感器突破传统MOFs导电性差的技术瓶颈,利用胸腺嘧啶-汞-胸腺嘧啶(T-Hg-T)特异性结合引发构象变化,成功应用于海产品汞污染监测,为《水俣公约》实施提供创新技术支撑。
亮点
• 开发高导电性棒状Gd4-MOF作为新型基底材料
• 通过电化学转化自牺牲模板原位生成普鲁士蓝
• 构建四足体DNA纳米结构(TDN)提升捕获效率
• 实现0.66 fM级汞离子超灵敏检测
材料与仪器
实验采用六水合氯化铁(FeCl3·6H2O)、2-氨基对苯二甲酸(NH2-BDC)等试剂购自麦克林(上海),三氟甲磺酸钆(Gd(CF3SO3)3)来自阿拉丁。使用CHI760E电化学工作站(上海辰华)进行i-t曲线测试,场发射扫描电镜(FE-SEM, JEOL JSM-6700F)表征材料形貌。
材料表征
如图1所示,NH2-MIL-88(Fe)呈现典型多面体结构(图1A),XRD图谱在9°和11°出现特征峰(图1C),与标准晶面(002)/(101)匹配。棒状Gd4-MOF(图1B)通过π-π堆叠和N─O氢键构建电子传递通道,FT-IR显示羧基与镧系离子形成强配位键(图1D),显著提升材料导电性和水稳定性。
结论
本研究创新性地将电化学转化技术与镧系MOFs相结合,开发的TDN适配体传感器如同"分子捕手",通过T-Hg-T特异性识别实现汞离子的精准捕获。相比传统原子吸收光谱(AAS)等方法,该传感器兼具fM级检测限和实际样品检测能力,为防控汞污染引发的神经退行性疾病提供新工具。
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