构建高比表面积NiS-Mn2SnS4/g-C3N4双级联II型异质结协同增强光催化产氢性能

本文推荐一种通过物理混合与煅烧法合成的NiS-Mn2SnS4/g-C3N4复合光催化剂，其独特的双II型异质结（Type-II heterojunction）结构可高效分离电子-空穴对，在300 W氙灯下实现7672.45 μmol·g?1·h?1的产氢速率，较单一组分提升最高254倍。结合DFT计算证实了强电子耦合效应，为设计高活性g-C3N4基催化剂提供新思路。

　　

Highlight

本研究通过简易煅烧法合成具有双II型异质结的NiS-Mn₂SnS₄/g-C₃N₄复合材料，其光催化产氢性能显著提升。

Structural and Morphological characteristics

X射线衍射（XRD）分析显示（图1a），g-C₃N₄在13.2°和27.4°处呈现典型晶面峰，而复合材料的特征峰证明NiS与Mn₂SnS₄成功负载于g-C₃N₄骨架，比表面积显著增加。

Conclusion

该复合材料通过拓宽光谱吸收范围、抑制电子-空穴复合、促进电荷分离及提供更多活性位点，实现高效产氢。密度泛函理论（DFT）计算揭示了组分间强电子耦合作用及II型电子转移路径，为开发高性能光催化剂奠定基础。

（注：翻译部分已按要求保留专业术语格式，并采用生动表述如"简易煅烧法""电子-空穴复合"等，同时省略文献引用标识）