225Ac及其子体半衰期与γ射线发射强度的精确测定及其在靶向α治疗(TAT)中的意义

《Applied Physiology Nutrition and Metabolism》：Half-life and gamma ray emission intensity measurements for 225Ac and progeny

美国国家标准与技术研究院(NIST)团队通过高纯锗(HPGe)探测器、井型NaI(Tl)探测器等多元技术，对225Ac的活度标准、γ射线绝对发射强度及半衰期（测得值为9.9193(31) d）进行系统测定。研究揭示了229Th/225Ra杂质对半衰期测定的干扰机制，为靶向α治疗(TAT)的剂量校准提供关键数据支撑。

　　

重点内容

γ射线发射强度

通过三个²²⁵Ac标准安瓿源（5 mL NIST-1）在四台HPGe探测器上的多几何测量，确定了衰变过程中的γ射线绝对发射强度。以40 cm源距的X探测器为基准，测得440.44 keV等特征γ射线的强度（详见表6），其不确定度分析示例见表7。所有数据均采用9.9190(21) d的半衰值进行衰变校正。

半衰期测定 - HPGe数据

基于E1和E2实验数据，通过440.44 keV与218.12 keV特征峰拟合（公式4-6）获得的半衰期结果如图15所示。其中218.12 keV峰因受子体干扰较小，测得值更接近推荐值。

结论

对于>300 keV且发射强度>1%的γ射线，本研究与DDEP推荐值的偏差<0.6%，显著提升了弱跃迁数据的精确度。HPGe测得的半衰期（440.44 keV峰）为9.9193(31) d，而微剂量校准器(GWC)均值为9.9095(47) d，差异主要来自²²⁹Th/²²⁵Ra的"隐形"干扰——这些杂质会持续生成²²⁵Ac子体，导致表观半衰期"虚高"。