高色纯度Eu3+激活CsBSi2O6红色荧光粉：热稳定性提升与暖白光LED应用研究

本文通过高温固相法成功合成新型CsBSi2O6:Eu3+红色荧光粉，其617 nm主发射峰源自Eu3+的5D0→7F2电偶极跃迁，具有79%色纯度（CIE: 0.5825,0.4103）和80.38%高温强度保持率（140℃），在近紫外（NUV）芯片激发下可实现4910K暖白光（WLED），为显示照明领域提供低成本高稳定性解决方案。

　　

Highlight

本研究通过高温固相反应成功开发新型CsBSi₂O₆:Eu³⁺红色荧光粉。在392 nm紫外激发下，617 nm处呈现源自Eu³⁺离子⁵D₀→⁷F_J（J=1-4）跃迁的强红光发射，证实Eu³⁺占据晶格非中心对称位点。

Material analysis

XRD分析显示所有衍射峰与CsBSi₂O₆标准卡片（PDF#00-037-1347）匹配良好。衍射峰右移现象符合布拉格衍射公式（2d sinθ=nλ），表明晶格参数因Eu³⁺掺杂产生微小畸变。

Conclusion

当Eu³⁺掺杂浓度为7%时达到最佳发光性能，其浓度猝灭由偶极-偶极相互作用主导（临界传递距离R_c≈14.39 ?）。该材料在140℃下保持80.38%发光强度，与NUV芯片组合可实现4910K暖白光，兼具成本效益与高热稳定性优势。