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综述:金属有机框架在电磁波吸收领域的最新进展
【字体: 大 中 小 】 时间:2025年09月09日 来源:Research 10.7
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这篇综述系统总结了金属有机框架(MOFs)及其衍生物在电磁波(EMW)吸收材料中的设计策略、性能优化机制与应用前景,重点探讨了导电MOFs(cMOFs)的π-d共轭结构对介电损耗的调控作用,为开发轻量化、宽频带、高效吸收的功能-结构一体化材料提供了理论指导。
电磁波吸收理论
电磁波吸收性能由阻抗匹配特性和衰减能力共同决定。阻抗匹配决定电磁波进入吸收体的效率,而衰减能力则关乎电磁能量的转化耗散。损耗机制主要包含介电损耗(导电损耗、极化损耗)和磁损耗(自然共振、交换共振、涡流损耗)。在千兆赫(GHz)频段,极化损耗主要源于界面极化和偶极子极化弛豫效应。
MOF衍生EMW吸收材料
MOFs凭借其晶体结构和金属-有机配位特性,经碳化/硫化/磷化处理后,可形成具有多相异质结构的衍生复合材料。例如:
ZnCo-ZIF衍生的Co/ZnO/Co3ZnC异质原子金属纳米簇通过晶面取向调控,实现7.1 GHz有效吸收带宽(EAB)
MIL-88B(V)与MXene复合衍生的V2O3/VO/C@Ti3C2Tx通过内置电场(BIEF)增强界面极化,反射损耗(RL)达-50.10 dB
普鲁士蓝类似物衍生的CoFe/C/MXene/纤维素纳米纤维气凝胶密度仅12 mg/cm3,机械强度达1311%,展现结构-功能一体化优势
cMOF基吸收材料
导电MOFs通过金属中心(Cu/Zn/Ni/Co等)与含S/O/N配体的π-d轨道杂化实现电荷传输调控:
Cu-S键网络材料(如CuHT)利用硫原子孤对电子增强导电损耗,EAB达6.72 GHz
M3(HHTP)2系列(M=Cu/Zn/Ni)通过层间距调控载流子迁移率,Cu-HHTP在50 wt%填充量下RL达-63.55 dB
氮配位cMOFs(如Cu1.3Ni1.7(HITP)2)因强共轭效应在15 wt%低填充量下即实现6.16 GHz超宽吸收
未来展望
MOF基材料需突破三大瓶颈:
衍生过程精确控制:需建立热解动力学与组分/缺陷/孔结构的构效关系
cMOFs稳定性提升:开发高导电率与化学稳定性协同优化的新型配体
规模化制备工艺:发展溶液法、气相沉积等低成本合成路线
通过3D打印构建超材料结构,或将成为实现GHz-THz全频段覆盖的关键技术路径。
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