全身性50 Hz磁场暴露装置的设计与剂量分析及其对睡眠与阿尔茨海默病标志物的潜在影响研究

来自某研究团队的研究人员开发了一种新型全身暴露设施，用于开展随机双盲交叉刺激研究，探究50 Hz磁场（MF）暴露对睡眠及阿尔茨海默病（AD）标志物的潜在影响。该设施支持高达30 μT的磁通密度，场不均匀性低于±20%，并通过软件控制实现盲法随机化暴露。数值剂量分析显示，大脑内诱导电场强度（Ei）在99.9百分位数下达到0.5–0.6 mV/m，区域统计显示Ei均值介于0.025–0.21 mV/m。该研究为电磁场生物效应研究提供了重要技术平台和剂量学依据。

　　

研究人员设计并剂量学分析了一种用于全身暴露的实验设施，该设施专为睡眠实验室中的随机双盲交叉研究定制，旨在探究50赫兹（Hz）磁场（MF）暴露对睡眠以及阿尔茨海默病（Alzheimer's disease, AD）生物标志物的潜在影响。该暴露系统可实现最高30微特斯拉（μT）的磁通密度，且场不均匀性控制在±20%以内，全部通过软件进行盲态随机化控制。控制软件会动态调整磁场矢量方向，使每次实验中场向量的取向均匀分布。

利用多个高分辨率人体解剖模型进行的数值剂量分析表明，当外部暴露水平为30 μT、磁场沿人体三个主轴（前后、左右、头脚方向）时，大脑内部诱导电场强度（E_i）在2×2×2 mm³平均条件下的99.9百分位值达到0.5–0.6毫伏/米（mV/m）。针对数百个不同灰质脑区的体积平均E_i值进行统计，结果显示：最小值为0.001–0.065 mV/m，平均值为0.025–0.21 mV/m，最大值为0.033–0.34 mV/m。这一暴露设施已成功应用于一项新近完成的实验研究中。