金属有机化学气相沉积(MOCVD)：二维硫属化物制备的变革性技术及其应用前景

来自多领域交叉团队的研究人员针对二维材料规模化制备难题，系统探讨了金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在过渡金属二硫属化物(TMDs)合成中的突破性应用。该研究揭示了MOCVD在实现晶圆级单层TMDs外延生长、柔性电子器件集成及3D互补金属氧化物半导体(CMOS)异质集成方面的核心优势，为下一代光电子器件和可穿戴设备提供了产业化解决方案。

　　

金属有机化学气相沉积(Metal–organic Chemical Vapour Deposition, MOCVD)作为III–V族半导体制造的核心技术，正成为可规模化制备二维(2D)材料（特别是过渡金属二硫属化物TMDs）的关键手段。本技术综述追溯了MOCVD从传统半导体外延生长到现代晶圆级高质量2D层状材料及异质结构制备的演进历程，全面阐述了该技术的实验装置、原位表征工具与工艺参数，重点探讨了TMDs单层外延、高低温度生长模式及其他二维金属硫属化物的合成策略。研究进一步凸显了MOCVD制备的TMD材料在三维互补金属氧化物半导体(3D CMOS)集成、光子与光电器件、以及直接于柔性聚合物基底集成可穿戴电子等领域的重要应用，充分体现了MOCVD与工业流程的高度兼容性。通过分析当前技术局限与发展方向，本文确立了MOCVD作为推动新一代电子学、光子学及柔性技术变革的关键赋能工具。